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龙图腾网获悉芯合半导体公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115768110B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211682057.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由李亮;王振裕;张宏光;李彦尊;刘晃;林元龙;袁海江;林仲强设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，其中，在衬底中形成有深槽电容器，位于所述深槽电容器的内部电极上部的鳍状接触部连接衬底表面的鳍片，形成于所述衬底上的至少一条字线间隔着字线隔离层位于所述内部电极上，所述字线隔离层覆盖所述掩埋氧化物层和所述鳍状接触部之间的所述内部电极且暴露所述鳍片，所述字线隔离层不仅可以起到绝缘隔离所述字线和所述内部电极的作用，并且在进行外延工艺时能够避免所述掩埋氧化物层和所述鳍状接触部之间的所述内部电极暴露而形成外延生长，可以提高半导体结构的可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包含掺杂衬底层、位于所述掺杂衬底层上的掩埋氧化物层以及位于所述掩埋氧化物层上的器件层； 形成深槽于所述衬底中，所述深槽贯穿所述器件层和所述掩埋氧化物层并深入所述掺杂衬底层； 形成深槽电容器于所述深槽中，所述深槽电容器包括覆盖所述深槽的部分内表面的节点介电层和填充于所述深槽中的内部电极，所述节点介电层将所述内部电极和所述掺杂衬底层隔开； 刻蚀所述器件层和所述内部电极以露出下方的所述掩埋氧化物层，刻蚀后的所述器件层形成鳍片，刻蚀后的所述内部电极的一部分形成连接所述鳍片的鳍状接触部； 形成字线隔离层于所述衬底上，所述字线隔离层暴露所述鳍片； 形成字线于所述衬底上，至少一条所述字线与所述鳍片相交并在所述鳍片表面构成晶体管的栅极，至少一条所述字线间隔所述字线隔离层位于所述内部电极上； 形成侧墙于所述字线两侧，使所述字线隔离层覆盖所述掩埋氧化物层和所述鳍状接触部之间的所述内部电极表面；以及进行外延工艺，在所述栅极两侧的所述鳍片表面分别形成源漏外延结构。

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