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龙图腾网获悉南京师范大学申请的专利一种多级电容的电场感应取能电源电路结构及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115765213B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211657293.1，技术领域涉及：H02J50/05；该发明授权一种多级电容的电场感应取能电源电路结构及控制方法是由王维;任翰林;许晨进;苏文博;段名荣设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多级电容的电场感应取能电源电路结构及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多级电容的电场感应取能电源电路结构，电路结构包括：前级采用多个小电容串联同时进行取能、共用同一个变压器进行放电、共用同一个储能电容进行储能，储能电容通过DC‑DC电路向负载供电。该多级电容电场感应取能电路利用电场取能极板经电场感应所产生的交流位移电流进行整流之后对多级取能电容进行充电，第一级电路采用迟滞比较控制电路进行充放电控制，其他级电路采用电压比较控制电路进行控制，多级取能电容电压达到设定的阈值之后，按照从上至下的顺序依次进行放电，各级取能电容放电通道依次开通各自独立互不影响。多级电容进行充电可提高取能电路的取能效率，共用同一个变压器进行放电可减小取能电路的体积、重量、制造成本。

本发明授权一种多级电容的电场感应取能电源电路结构及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种多级电容的电场感应取能电源电路，其特征在于，该电路包括第一级取能电路，并且第一级取能电路包括压敏电阻Z1、取能电容Ch1、采样电阻R1‑1和R1‑2、迟滞比较控制电路、二极管D1、续流二极管VD1、开关管MOS1、变压器T1、二极管VD2、储能电容Cs以及DC‑DC电路；其中，采样电阻R1‑1和R1‑2串联后与压敏电阻Z1、取能电容Ch1并联，直流电流Idc由压敏电阻Z1和取能电容Ch1的第一端流入；迟滞比较控制电路与取能电容Ch1并联，迟滞比较器输入端与采样电阻R1‑1的第二端和采样电阻R1‑2的第一端相连接，输出端与开关管MOS1的G级连接；开关管MOS1的G级与迟滞比较控制电路的输出端相连接，用于接受迟滞比较电路的控制信号，D级与变压器T1原边的out端相连接，S级与取能电容Ch1的第二端连接；二极管D1的阳极与取能电容的Ch1的第一端连接，阴级与变压器T1原边的in端相连接；续流二极管VD1的阴级与变压器原边的in端相连接，阳极与变压器T1原边的out端相连接；变压器副边的in端与储能电容Cs的第一端相连接，副边out端与二极管VD2的阳极相连接，变压器T1用于将取能电容上电压转移至储能电容Cs上；二极管VD2阴极与储能电容Cs的第一端相连接；储能电容Cs的第一端与DC‑DC电路的第一端相连接，储能电容Cs的第二端与DC‑DC电路的第二端相连接； 该电路还包括第二级取能电路，第二级取能电路包括：压敏电阻Z2、取能电容Ch2、采样电阻R2‑1、采样电阻R2‑2、采样电阻R2‑3、采样电阻R2‑4、二极管D2‑1、二极管D2‑2、电压比较控制电路以及开关管MOS2；二极管D2‑1的阳极与Ch1的第二端连接，阴极与取能电容Ch2的第一端连接；压敏电阻Z2并联于取能电容Ch2两端；采样电阻R2‑1与采样电阻R2‑2串联，采样电阻R2‑1的第一端与取能电容的Ch1的第一端连接，采样电阻R2‑1的第二端与采样电阻R2‑2的第一端连接，采样电阻R2‑2的第二端与取能电容Ch2的第二端连接；采样电阻R2‑3与采样电阻R2‑4串联，并联于取能电容Ch2两端；电压比较控制电路并联与取能电容Ch2两端，电压比较控制电路的第一个输入端与采样电阻R2‑1的第二端以及采样电阻R2‑2的第一端相连接，电压比较控制电路的第一个输入端与采样电阻R2‑3的第二端以及采样电阻R2‑4的第一端相连接，输出端与开关管MOS2的G级相连接；开关管MOS2的G级与比较控制电路的输出端相连接，用于接受比较电路的控制信号，D级与变压器T1原边的out端相连接，S级与取能电容Ch2的第二端相连接；二极管D2‑2的阳极与取能电容Ch2的第一端连接，阴级与变压器T1原边的in端相连接。

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