西安电子科技大学许晟瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029746.6，技术领域涉及：H10F10/142；该发明授权基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法是由许晟瑞;王若冰;韩红波;王雨佳;刘旭;胡琳琳;贠博祥;吴前龙;张涛;张雅超;周弘;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法，主要解决现有三结GaInPGaAsGe电池入射光波长的利用率低及光电转换效率有限的问题。其自下而上包括：Ge吸收层、Si吸收层、GaAs吸收层、InGaN吸收层、GaN吸收层、AlGaN吸收层、金刚石吸收层。该InGaN吸收层采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料；该AlGaN吸收层采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料；该所有吸收层采用材料的禁带宽度从上至下依次减小，以提高入射光波长的吸收效率。本发明采用多结光电转换结构，增加了P‑N结数，降低了能量损耗，提升了光电转换效率，可用于制作高光电转化效率的太阳能电池。
本发明授权基于氮化物材料的多结光电转换结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物的多结光电转换结构，自下而上包括：Ge吸收层1、GaAs吸收层3，其特征在于： 所述Ge吸收层1与GaAs吸收层3之间设有Si吸收层2，以降低两个吸收层之间晶格差异造成的缺陷，更好地进行带隙匹配； 所述GaAs吸收层3上依次设有InGaN吸收层4、GaN吸收层5、AlGaN吸收层6和金刚石吸收层7，以增加P‑N结数且降低能量损耗，提高光电转换效率； 所述InGaN吸收层4，采用In的组分为15％‑23％的InGaN材料； 所述AlGaN吸收层6，采用Al组分为70％‑80％的AlGaN材料； 所述自下而上所有吸收层采用材料的禁带宽度依次增大，提高入射光波长的吸收效率。
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