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龙图腾网获悉北京中电华大电子设计有限责任公司申请的专利一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115713959B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211268138.0，技术领域涉及：G11C29/08；该发明授权一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构是由许延华;佟慧超;孟颖;白俊峰设计研发完成，并于2022-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构。其中模拟测试电路采用NMOS控制传送0.5～2.75V电位到测试PAD上，eFlash测试电路采用PMOS控制传送4V电位到测试PAD。因两者在电源和控制方式上的差异，简单的连接在一起共用测试PAD容易引起漏电，因此设计此电路。本发明的特征在包括一个NMOS开关管，三个PMOS开关管和一个开关控制电路：所述MOS开关管在导通时可以正确传输待测电位，关闭时则处于截止状态；所述开关控制电路为改进型电平移位器电路，其输出信号施加在MOS开关管的栅极来控制MOS开关管的导通或截止。其优点在于当电源电位较低时，电平位移器不工作，避免漏电流产生。

本发明授权一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构在权利要求书中公布了：1.一种eFlash电路和模拟电路共用测试PAD的电路结构，其特征在于包括NMOS开关管NM0、PMOS开关管PM0，PMOS开关管PM1，PMOS开关管PM2、控制电路C2，其中： 所述NMOS开关管NM0的源极接芯片测试PAD TM，NMOS开关管NM0的漏极接模拟电路待测电平TM_ana，NMOS开关管NM0的栅极接控制信号CTRL1，NMOS开关管NM0的衬底接地； 所述PMOS开关管PM0的源极和衬底接芯片测试PAD TM，PMOS开关管PM0的漏极接PMOS开关管PM1的源极，PMOS开关管PM0的栅极接控制电路C2的输出G2； 所述PMOS开关管PM1的源极接PMOS开关管PM0的漏极，PMOS开关管PM1的漏极接PMOS开关管PM2的源极，PMOS开关管PM1的栅极接VD15电平，PMOS开关管PM1的衬底接eFlash电路待测电平TM_ef； 所述PMOS开关管PM2的源极接PMOS开关管PM1的漏极，PMOS开关管PM2的漏极和衬底接eFlash电路待测电平TM_ef，PMOS开关管PM2的栅极接控制信号CTRL2； 所述控制电路C2：输入端口接控制信号CTRL2，输出端口G2与PMOS开关管PM0的栅极连接，电源端接芯片测试PAD TM。

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