株式会社新川富山俊彦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社新川申请的专利半导体装置的制造方法以及打线接合装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115707348B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180006033.5，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权半导体装置的制造方法以及打线接合装置是由富山俊彦;手井森介设计研发完成，并于2021-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及打线接合装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种可容易地形成所需高度的针脚线的半导体装置的制造方法及打线接合装置。半导体装置10的制造方法包括：第一步骤，在使用瓷嘴8将线20接合于电极31后，一边伸出线20一边使瓷嘴8移动至第三目标点P3，由此形成线部20b；第二步骤，一边伸出线20一边使瓷嘴8移动至第四目标点P4，由此形成折曲部20c；第三步骤，将瓷嘴8的下降及上升反复多次，由此将折曲部20c加工成切断预定部C；以及第四步骤，为了形成针脚线21，在闭合线夹9的状态下使瓷嘴8上升，由此将线20在切断预定部C切断。
本发明授权半导体装置的制造方法以及打线接合装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 第一步骤，使用瓷嘴将线接合于电极后，一边伸出所述线一边使所述瓷嘴移动至第一位置，由此将所述线拉出既定的长度，所述第一位置为较所述线的接合部更靠上方的位置，且为自穿过所述接合部的所述电极的表面的法线上偏离的位置； 第二步骤，使所述瓷嘴移动至所述第一位置后，一边伸出所述线一边使所述瓷嘴移动至第二位置，由此在所述线形成折曲部，所述第二位置为较所述第一位置更靠上方的位置，且为自所述法线延伸的法线方向观看而相对于所述第一位置向所述接合部侧偏离的位置； 第三步骤，形成所述折曲部后，将沿着所述法线方向的所述瓷嘴的下降及上升反复多次，由此将所述折曲部加工成切断预定部；以及第四步骤，在将所述瓷嘴的下降及上升反复多次后，为了形成针脚线，在闭合线夹的状态下使所述瓷嘴上升，由此将所述线在所述切断预定部切断。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社新川，其通讯地址为：日本东京武藏村山市伊奈平二丁目51番地之1(邮递区号 : 208-8585)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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