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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696937B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211281110.0，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法是由张春福;仝令威;朱卫东;巴延双;陈大正;习鹤;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法，包括：获取衬底；在其上制备SU‑8PMMA层得到SU‑8PMMA衬底基底；去除SU‑8PMMA衬底基底中多个区域的SU‑8PMMA层得到多个狭缝状三维空间；在多个狭缝状三维空间中，利用过饱和MAPbI3溶液以及顶部覆盖刮刀移动的方式生长钙钛矿单晶阵列；去除阵列中间隔的SU‑8PMMA层，在形成的狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶阵列，得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜；基于至少一层钙钛矿单晶薄膜，在表面上制备电极得到X射线探测器。本发明能生长大尺寸、厚度均匀可控、高质量的钙钛矿单晶薄膜，制备大面积、高性能X射线探测器。

本发明授权三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种三维限制二次生长钙钛矿单晶薄膜X射线探测器制备方法，其特征在于，包括： 获取衬底； 在所述衬底上制备SU‑8PMMA层，得到SU‑8PMMA衬底基底； 去除所述SU‑8PMMA衬底基底中多个区域的SU‑8PMMA层，得到多个狭缝状三维空间； 在所述多个狭缝状三维空间中，利用过饱和MAPbI3溶液以及顶部覆盖刮刀移动的方式，生长钙钛矿单晶阵列； 去除所述钙钛矿单晶阵列中间隔的SU‑8PMMA层，并在形成的多个狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶，得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜；其中，在形成的多个狭缝状三维空间中再次生长钙钛矿单晶，得到一层完整的钙钛矿单晶薄膜，包括：将具有所述钙钛矿单晶阵列和多个用于再次生长的狭缝状三维空间的整个基底置于热台上，在多个用于再次生长的狭缝状三维空间中滴加充足的过饱和MAPbI3溶液，且在所述过饱和MAPbI3溶液顶部覆盖PDMS刮刀，在所述PDMS刮刀缓慢移动过程中通过溶剂挥发溶质析出获得再次生长的钙钛矿单晶，由所述再次生长的钙钛矿单晶和原先的钙钛矿单晶阵列最终构成一层完整的钙钛矿单晶薄膜； 基于至少一层的钙钛矿单晶薄膜，在表面上制备电极得到X射线探测器。

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