上海微电子装备(集团)股份有限公司陈飞彪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微电子装备(集团)股份有限公司申请的专利硅片对准装置及硅片对准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692289B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110874644.3，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权硅片对准装置及硅片对准方法是由陈飞彪;赵滨;朱鸷设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅片对准装置及硅片对准方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硅片对准装置及硅片对准方法，用于将两个硅片进行对准键合，包括：两个相对设置的装载模块，分别具有一个用于装载所述硅片的装载面，两个所述装载面相对设置；至少一个对准接触模块，设置于至少一个所述装载模块上，用于向所述硅片提供顶力；至少一个真空吸附结构，设置于具有所述对准接触模块的装载模块的装载面上，每个所述真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域；根据两个所述硅片的倍率值调整任一所述真空吸附结构的至少部分所述真空吸附区域的吸附力，以使两个所述硅片的倍率值的差值减小。本发明减小了两个硅片之间的倍率差，以提高对准键合精度。
本发明授权硅片对准装置及硅片对准方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片对准装置，用于将两个硅片进行对准键合，其特征在于，包括： 两个相对设置的装载模块，分别具有一个用于装载所述硅片的装载面，两个所述装载面相对设置； 至少一个对准接触模块，设置于至少一个所述装载模块上，用于向所述硅片提供顶力； 至少一个真空吸附结构，设置于具有所述对准接触模块的装载模块的装载面上，每个所述真空吸附结构具有至少两个独立的且呈同心环状的真空吸附区域； 根据两个所述硅片的倍率值调整任一所述真空吸附结构的至少部分所述真空吸附区域的吸附力，以使两个所述硅片的倍率值的差值减小，两个所述装载模块相对运动，以使两个所述硅片进行对准键合，其中，两个所述硅片上均设有至少两个对准标记，测量两个所述硅片中位置相同的两个对准标记的距离值作为两个所述硅片的倍率值。
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