买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都其联科技有限公司申请的专利一种稳定同位素质谱仪离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115631990B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211409282.1，技术领域涉及：H01J49/14；该发明授权一种稳定同位素质谱仪离子源是由何俊伟;陈智;谢继红设计研发完成，并于2022-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种稳定同位素质谱仪离子源在说明书摘要公布了：本发明属于质谱仪技术领域，特别涉及一种稳定同位素质谱仪离子源。其技术方案为：一种稳定同位素质谱仪离子源，包括固定底座，固定底座一侧连接有高压电极，固定底座另一侧设置有若干支撑柱，支撑柱的另一侧连接有限位座，支撑柱之间依次安装有用于轰击样品的电离室、用于校正离子束的校正单元和调整离子束宽度的狭缝单元，限位座上连接有用于调节离子束速度的加速单元，固定底座连接有腔体，腔体套设于若干支撑柱外，腔体上连接有用于向电离室输入样品的进样阀门，电离室、校正单元、狭缝单元和加速单元均与高压电极通过高压导线连接。本发明提供了一种方便调节离子束宽度和能量的稳定同位素质谱仪离子源。

本发明授权一种稳定同位素质谱仪离子源在权利要求书中公布了：1.一种稳定同位素质谱仪离子源，其特征在于：包括固定底座1，固定底座1一侧连接有高压电极2，固定底座1另一侧设置有若干支撑柱3，支撑柱3的另一侧连接有限位座4，支撑柱3之间依次安装有用于轰击样品的电离室5、用于校正离子束的校正单元6和调整离子束宽度的狭缝单元7，限位座4上连接有用于调节离子束速度的加速单元8，固定底座1连接有腔体9，腔体9套设于若干支撑柱3外，腔体9上连接有用于向电离室5输入样品的进样阀门91，电离室5、校正单元6、狭缝单元7和加速单元8均与高压电极2通过高压导线连接； 所述校正单元6包括依次设置的校正极61、X向校正电极62和Y向校正电极63，校正极61设置校正缝，X向校正电极62设置有X轴方向的校正缝，Y向校正电极63设置Y轴方向的校正缝； 所述狭缝单元7包括两块弹片71，弹片71的一端相对于支撑柱3固定，腔体9上连接有直线馈入装置94，弹片71的另一端与直线馈入装置94的输出端连接，两块弹片71上连接有相对设置的狭缝板72。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都其联科技有限公司，其通讯地址为：610000 四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区天府五街200号6号楼5、6楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。