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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115541702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100583.6，技术领域涉及：G01N27/90；该发明授权一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置是由艾江山;白利兵;程玉华;丁尧禹;周权;张杰;龙兵设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置，在磁光成像系统中用偏振分光棱镜进行检偏，设置检偏角为对磁场响应最灵敏的45度，用增透膜消除反射光的影响，被测试件表面磁场变化会影响入射到偏振分光棱镜的线偏振光的偏振角度，从而影响偏振分光棱镜的两路输出线偏振光的光强差，通过自平衡光电探测器进行光电转换，锁定放大器进行放大，然后将信号的幅值和相位通过成像及信号处理系统中进行扫描成像，最后通过成像的亮度变化来反应。

本发明授权一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置在权利要求书中公布了：1.一种光扫描式涡流磁光成像无损检测装置，其特征在于，按照光路传输方向依次包括：可见光激光器、起偏器、微振镜、第一聚焦镜、消偏振分光棱镜、传感器单元、涡流激励线圈、偏振分光棱镜、第二聚焦镜、第三聚焦镜、反射镜、自平衡光电探测器、锁相放大器和成像与信号处理系统； 所述可见光激光器产生激光信号输入至起偏器，通过起偏器来获得高消光比的线偏振光，同时调节起偏器的角度，使通过起偏器的探测光的偏振方向与所述偏振分光棱镜的两路偏振光的方向分别成45度角； 所述微振镜放置在第一聚焦镜的焦点位置，通过微振镜的转动使探测光以不同的角度反射到第一聚焦镜； 所述第一聚焦镜将焦点射来的不同方向的探测光在不同的位置以垂直的方向入射到消偏振分光棱镜； 所述消偏振分光棱镜不改变探测光的偏振态，将部分探测光反射，而另一部分探测光穿透过消偏振分光棱镜后垂直入射到传感器单元； 所述传感器单元分三层，第一层为增透膜，第二层为法拉第旋光材料，第三层为反射层，其中，在法拉第旋光材料的正面镀增透膜，用于增加探测光的透过率，在法拉第旋光材料的背面镀锗，作为反射层，用于将探测光反射回消偏振分光棱镜； 传感器单元置于被测试件的正上方且有一定的提离距离，用于检测被测试件表面垂直分布的磁场B，当探测光通过增透膜射入法拉第旋光材料时，根据被测试件表面分布的磁场B改变探测光的偏振方向，偏振角度旋转θ，再经过反射层反射后探测光再次通过法拉第旋光材料，由于法拉第旋光效应的非互异性，探测光的偏振方向会同方向再次旋转θ，最后通过增透膜后返回到消偏振分光棱镜，此时消偏振分光棱镜将反射部分的探测光以水平方向入射偏振分光棱镜； 所述涡流激励线圈置于被测试件的正上方，且传感器单元与涡流激励线圈处于同一水平面；成像与信号处理系统给涡流激励线圈输入参考频率的激励信号，从而产生对应频率的激励磁场，在激励磁场的作用下在被测试件中产生涡流，而被测试件中的缺陷会影响涡流的分布进而产生二次磁场，最终由传感器单元检测到被测试件表面垂直方向的磁场分布B是由激励磁场和二次磁场叠加而成； 所述偏振分光棱镜将水平方向的探测光分解成两个偏振方向垂直的偏振光1和偏振光2，两束偏振光的光强度与入射光的偏振方向相关；偏振光1经过第二聚焦镜照射到自平衡光电探测器的一个光电传感器；偏振光2经过反射镜和第三聚焦镜照射到自平衡光电探测器的另一个光电传感器； 所述自平衡光电探测器包括两个光电传感器，其中，一个光电传感器位于第二聚焦镜的焦点位置，另一个光电传感器位于第三聚焦镜的焦点位置；两个光电传感器分别对输入的偏振光进行光电转换，并依据信号强度做差分和放大处理，最后再以电压的形式输出差分后的电压信号； 所述锁相放大器根据成像及信号处理系统给出的参考频率对自平衡光电探测器输出的电压信号进行锁相放大，再提出幅值和相位传输给成像与信号处理系统； 所述成像与信号处理系统为涡流激励线圈和锁相放大器输入频率相同的参考频率，同时根据锁相放大器反馈的幅值和相位进行成像，并通过图像亮度的变化进行缺陷检测。

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