中南大学岳建岭获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513370B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211359763.6，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法是由岳建岭;杨泽欧;胡海龙;黄小忠设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法，其制备方法包括如下步骤：以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极；在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种；在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。由该制备方法制备得到的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器可形成单晶或晶体完整性较高的超晶格薄膜，忆阻器具备低的操作电压和高的组态稳定性。
本发明授权一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钛酸锶基氧化物超晶格薄膜忆阻器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，以掺铌钛酸锶单晶衬底作为底电极； 步骤S2，在掺铌钛酸锶单晶衬底表面交替沉积钛酸锶层和另一类氧化物膜层，制备得到钛酸锶基氧化物超晶格薄膜作为存储介质层，其中，另一类氧化物膜层选用掺钇氧化锆、钴酸镧、或铁酸铋中的一种； 具体的，采用脉冲激光沉积技术，通过高能量密度激光对所用的钛酸锶靶材和另一类氧化物靶材进行交替轰击，获得钛酸锶层和另一类氧化物层交替生长的钛酸锶基氧化物超晶格薄膜；其中，在每一超晶格薄膜的调制周期内，总是先生长钛酸锶层，再生长另一氧化物层，调制周期数为5‑10；所述钛酸锶层的层厚为2~20nm，另一类氧化物层的层厚为0.5‑10nm，超晶格薄膜的总厚度为20‑100nm； 步骤S3，在步骤S2得到的镀有存储介质层的基片表面再沉积金属薄膜作为顶电极，得到含有底电极∥STO基氧化物超晶格薄膜存储介质层∥顶电极的忆阻器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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