中山大学王雪华获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利多量子点耦合器件及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115459051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211165817.5,技术领域涉及:H01S5/10;该发明授权多量子点耦合器件及其制备方法是由王雪华;廖泽阳设计研发完成,并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多量子点耦合器件及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种多量子点耦合器件及其制备方法,多量子点耦合器件包括微盘微腔和位于所述微盘微腔内的若干个量子点,所述微盘微腔具有简并的光学回音壁模式,所述量子点位于微盘微腔的光学回音壁模式的波腹位置,若干个所述量子点跃迁发光的波长相同或相近,所述微盘微腔表面光滑且具有对称性,所述微盘微腔包括介质圆盘。本发明实施可以提高量子节点之间的耦合效率,可广泛应用于量子通信技术领域。
本发明授权多量子点耦合器件及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种多量子点耦合器件的制备方法,其特征在于,包括: 制备微盘微腔,所述微盘微腔表面光滑且具有对称性; 生长具有相同或相近跃迁波长的量子点; 将若干个量子点制备于微盘微腔光学回音壁模式的波腹位置,包括: 在含有量子点的样品片上,采用电子束光刻和剥离工艺制作量子点的定位标记; 采用荧光成像技术获取量子点相对于所述定位标记的空间位置; 测量目标量子点的光致发光谱; 根据所述空间位置及光致发光谱确定所述微盘微腔的波腹位置,并采用电子束光刻和干蚀刻工艺制备微腔结构。
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