上海华力集成电路制造有限公司郑鸿柱获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利补偿高阶套刻误差的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115453828B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211048350.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权补偿高阶套刻误差的方法是由郑鸿柱;周文湛;张瑜;邹文伟设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本补偿高阶套刻误差的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种补偿高阶套刻误差的方法，包括：步骤一、计算曝光后的晶圆的各段工艺制程引入的第一套刻误差。步骤二、将第一套刻误差中的晶圆级的线性套刻误差剥离并形成曝光区域级的第二套刻误差。步骤三、根据第二套刻误差对光罩写入进行修正并进行光罩写入得到修正后的光罩。步骤四、采用修正后的光罩进行晶圆的曝光以补偿高阶套刻误差。本发明能补偿高阶套刻误差且能保证工艺过程中造成的套刻误差得到完全补偿。
本发明授权补偿高阶套刻误差的方法在权利要求书中公布了：1.一种补偿高阶套刻误差的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、计算曝光后的晶圆的各段工艺制程引入的第一套刻误差； 步骤二、将所述第一套刻误差中的晶圆级的线性套刻误差剥离并形成曝光区域级的第二套刻误差； 步骤三、根据所述第二套刻误差对光罩写入进行修正并进行所述光罩写入得到修正后的光罩； 步骤四、采用所述修正后的光罩进行晶圆的曝光以补偿高阶套刻误差。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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