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龙图腾网获悉国立大学法人京都大学;三菱电机株式会社申请的专利二维光子晶体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180025967.3，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权二维光子晶体激光器是由野田进;M·德佐萨;石崎贤司;国师渡;榎健太郎设计研发完成，并于2021-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本二维光子晶体激光器在说明书摘要公布了：二维光子晶体激光器具备：基板，由n型半导体构成；p型包覆层p型半导体层，设置在基板的上侧，由p型半导体构成；活性层，设置在p型包覆层的上侧；二维光子晶体层，设置在活性层的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材中周期性地配置由折射率与母材的折射率不同的材料构成的异折射率区域而形成的；第一隧穿层，设置在基板与p型包覆层之间，由载流子密度比基板的载流子密度高的n型半导体构成；第二隧穿层，以与第一隧穿层接触的方式设置在第一隧穿层与p型包覆层之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成；第一电极，设置在基板的下侧或基板内；以及第二电极，设置在二维光子晶体层的上侧。

本发明授权二维光子晶体激光器在权利要求书中公布了：1.一种二维光子晶体激光器，其特征在于，具备： a基板，其由n型半导体构成； bp型半导体层，其设置在所述基板的上侧，由p型半导体构成； c活性层，其设置在所述p型半导体层的上侧； d二维光子晶体层，其设置在所述活性层的上侧，是在由n型半导体构成的板状的母材内周期性地配置由折射率与该母材的折射率不同的材料构成的异折射率区域而形成的； e第一隧穿层，其设置在所述基板与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述基板的载流子密度高的n型半导体构成； f第二隧穿层，其以与所述第一隧穿层接触的方式设置在该第一隧穿层与所述p型半导体层之间，由载流子密度比所述p型半导体层的载流子密度高的p型半导体构成； g第一电极，其设置在所述基板内；以及h第二电极，其设置在所述二维光子晶体层的上侧，其中，所述二维光子晶体激光器还具备槽，所述槽从所述二维光子晶体激光器的上侧的表面起进行设置，所述槽在所述基板的上表面与下表面之间的位置具有底面，所述槽的与所述二维光子晶体层平行的截面的形状为框状，所述第一电极设置在所述槽的底面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人国立大学法人京都大学;三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本京都府；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。