买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种18T抗辐照SRAM存储单元电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394334B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211023666.X，技术领域涉及：G11C11/41；该发明授权一种18T抗辐照SRAM存储单元电路是由许耀华;周月亮;柏娜;王翊;李赟菲;陈子涵设计研发完成，并于2022-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种18T抗辐照SRAM存储单元电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其由10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点组成，10个一类MOS管依次记为P1～P10，8个二类MOS管依次记为N1～N8，4个节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点。本发明的18T抗辐照SRAM存储单元电路，一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构实现完全抵抗单个节点处发生数据翻转；同时，由于第一存储节点与第二存储节点采用双上拉管与双下拉管结构且下拉管分别由不同反馈进行控制，使得双节点同时发生数据翻转时仍能恢复到初始状态。

本发明授权一种18T抗辐照SRAM存储单元电路在权利要求书中公布了：1.一种18T抗辐照SRAM存储单元电路，其特征在于，包括： 10个一类MOS管、8个二类MOS管和4个节点，10个所述一类MOS管依次记为P1~P10，8个所述二类MOS管依次记为N1~N8，4个所述节点依次为第一存储节点、第二存储节点、第一冗余节点、第二冗余节点，其中： 一类MOS管P5的栅极与一类MOS管P6的漏极电连接，一类MOS管P5的漏极与一类MOS管P6的栅极电连接，形成交叉耦合结构； 一类MOS管P3和P7为所述第一存储节点上的上拉管，二类MOS管N3和N7为所述第一存储节点上的下拉管，一类MOS管P4和P8为所述第二存储节点上的上拉管，二类MOS管为N4和N8为所述第二存储节点上的下拉管； 一类MOS管P5为所述第一冗余节点上的上拉管，一类MOS管P9和N5为所述第一冗余储节点上的下拉管，一类MOS管P6为所述第二冗余节点上的上拉管，二类MOS管P10和N6为所述第二冗余节点上的下拉管； 一类MOS管P1的栅极与第二字线连接，一类MOS管P1的源极与第一位线连接； 一类MOS管P2的栅极与第二字线连接，一类MOS管P2的源极与第二位线连接； 二类MOS管N1的栅极与第一字线连接，二类MOS管N1的源极与第一位线连接； 二类MOS管N2的栅极与第一字线连接，二类MOS管N2的源极与第二位线连接； 其中，各MOS管的具体连接关系为： 一类MOS管P1的漏极与一类MOS管P5的漏极、P9的源极、P6的栅极、P8的栅极、PMOS晶体管P4的栅极、以及二类MOS晶体管N6的栅极、N4的栅极电连接； 一类MOS管P2的漏极与一类MOS管P6的漏极、P10的源极、P5的栅极、P7的栅极、P3的栅极以及二类MOS管N5的栅极、N3的栅极电连接； 一类MOS晶体管P3的漏极与P7的源极电连接，一类MOS管P3的源极与P4的源极、P5的源极、P6的源极均连接至电源VDD； 一类MOS管P4的漏极与P8的源极电连接； 一类MOS管P7的漏极与一类MOS管P9的栅极以及二类MOS管N3的漏极、N8的栅极、N1的漏极电连接至第一存储节点Q； 一类MOS管P8的漏极与一类MOS管P10的栅极以及二类MOS管N4的漏极、N7的栅极、N2的漏极连接至第二存储节点QB； 一类MOS管P9的漏极二类MOS管N5的漏极电连接； 一类MOS管P10的漏极二类MOS管N6的漏极电连接； 二类MOS管N3的源极与二类MOS管N7的漏极电连接； 二类MOS管N4的源极二类MOS管N8的漏极电连接； 二类MOS管N5的源极与二类MOS管N6的源极、N7的源极、N8的源极均连接至GND。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经开区九龙路111号(安徽大学磬苑校区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。