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龙图腾网获悉北京航天微电科技有限公司申请的专利底电极激发式声表面波器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115378392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211053945.0，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权底电极激发式声表面波器件制备方法是由于海洋;何长奉;王君;李湃;吴兵;王锴;陈瑞设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本底电极激发式声表面波器件制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种底电极激发式声表面波器件制备方法，包括以下步骤：S1.在压电晶圆上进行光刻，制备出电极结构和叉指换能器结构；S2.在所述压电晶圆上沉积绝缘层，在所述绝缘层上侧套刻，定义绝缘层导通孔的位置；S3.对所述绝缘层进行刻蚀，暴露出所述电极结构；S4.在所述绝缘层导通孔侧壁进行种子层溅射，形成导通孔绝缘隔离层，并对所述绝缘层导通孔内进行电镀填充；S5.对衬底晶圆进行光刻，并定义出衬底晶圆导通孔的位置；S6.在衬底晶圆上刻蚀出所述衬底晶圆导通孔，并在所述衬底晶圆导通孔内进行衬底晶圆绝缘层溅射和衬底晶圆种子层侧壁溅射；S7.在所述衬底晶圆导通孔内进行电镀填充。本发明用于制备声表面波器件，减少声表面波器件受到外部环境的影响，提高声表面器件的高集成化需求。

本发明授权底电极激发式声表面波器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种底电极激发式声表面波器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1.在压电晶圆上进行光刻，制备出电极结构和叉指换能器结构； S2.在所述压电晶圆上沉积绝缘层，在所述绝缘层上侧套刻，定义绝缘层导通孔的位置； S3.对所述绝缘层进行刻蚀，暴露出所述电极结构； S4.在所述绝缘层导通孔侧壁进行导通孔种子层溅射，形成导通孔绝缘隔离层，并对所述绝缘层导通孔内进行电镀填充； S5.对衬底晶圆进行光刻，并定义出衬底晶圆导通孔的位置； S6.在衬底晶圆上刻蚀出所述衬底晶圆导通孔，并在所述衬底晶圆导通孔内进行衬底晶圆绝缘层溅射和衬底晶圆种子层侧壁溅射； S7.在所述衬底晶圆导通孔内进行电镀填充； S8.将带有填充后的所述衬底晶圆导通孔的所述衬底晶圆与带有所述电极结构的所述压电晶圆进行预处理及对准，并在常温下进行晶圆直接键合； S9.在所述衬底晶圆表面制备UBM焊盘，且所述UBM焊盘与所述衬底晶圆导通孔内的电镀材料接触。

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