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龙图腾网获悉岭东核电有限公司;中广核研究院有限公司;中国广核集团有限公司;中国广核电力股份有限公司申请的专利SiC包壳封装装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376715B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211114757.4，技术领域涉及：G21C21/04；该发明授权SiC包壳封装装置是由吴利翔;薛佳祥;刘洋;廖业宏;任啟森;翟剑晗设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本SiC包壳封装装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种SiC包壳封装装置。上述SiC包壳封装装置，用于封装SiC包壳时，将上压头与下压头分别连接电源两极，由于加热环位于上压头与下压头之间，加热环的上端与上压头连接，加热环的下端与下压头连接，此时上压头，加热环，下压头与电源形成回路，从而使得加热环通电，进而加热环可以对SiC包壳与端塞连接处进行加热。由于加热环位于上压头与下压头之间，加热环的上端与上压头连接，加热环的下端与下压头连接，从而，限定了加热环的加热区域，使得加热环对SiC包壳进行局部加热，加热范围小，从而避免SiC包壳内部燃料芯块与SiC包壳之间化学和机械化学反应，保证燃料芯块和SiC包壳的服役性能。

本发明授权SiC包壳封装装置在权利要求书中公布了：1.一种SiC包壳封装装置100，其特征在于，所述SiC包壳封装装置100包括： 上压头110，所述上压头110所采用的材料为导电材料； 下压头120，所述下压头120所采用的材料为导电材料，所述下压头120设有通孔121；及加热环130，所述加热环130所采用的材料为导电材料，所述加热环130位于所述上压头110与所述下压头120之间，所述加热环130的上端与所述上压头110连接，所述加热环130的下端与所述下压头120连接，所述加热环130的内径大于等于所述通孔的内径； 隔热环160，所述隔热环160套设在所述加热环130外部，所述隔热环160上端与上压头110抵接，所述隔热环160下部与所述下压头120抵接； 加热炉150，所述上压头110、所述加热环130、所述隔热环160以及所述下压头120均位于所述加热炉150内，所述加热炉150开设侧门； 测温器170，所述隔热环160的侧壁设有测温孔161，测温器170用于通过所述测温孔161测量加热环130的温度，所述测温器170连接控温模块，所述控温模块用于根据所述测温器170测量的温度，控制所述加热环130的加热温度。

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