福建晶安光电有限公司张佳浩获国家专利权
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龙图腾网获悉福建晶安光电有限公司申请的专利一种半导体衬底的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115302100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211061758.7，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种半导体衬底的制作方法是由张佳浩;周光权;曾柏翔;李瑞评;陈铭欣设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体衬底的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体衬底的制作方法，首先对半导体衬底进行两次激光切割，第一次激光切割在半导体衬底中得到引导层，引导层中包括多个间隔排布的第一孔洞，第二次激光切割在引导层的深度处得到多个第二孔洞，第二孔洞的尺寸小于第一孔洞，且多个第二孔洞与多个第一孔洞形成连续结构以形成剥离层，再通过甩胶、降温处理，最后基于剥离层对衬底进行剥片。本发明采用非物理接触激光切割技术，产生的应力较小；且激光切割分两步进行，由于大幅度降低了剥离层的大尺寸孔洞的数量，因此避免了半导体衬底破裂报废的问题；另外，本发明在衬底的制作过程中产生的损伤层较薄，从而能够减少抛光时间，提高生产效率。
本发明授权一种半导体衬底的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：提供衬底； S2：对所述衬底进行第一次激光切割，在所述衬底中形成引导层，所述引导层包括多个间隔排布的第一孔洞； S3：对所述衬底进行第二次激光切割，在所述引导层的深度范围内形成剥离层，所述剥离层包括多个第二孔洞，所述第二孔洞的尺寸小于所述第一孔洞，且多个所述第二孔洞与多个所述第一孔洞形成连续结构以形成所述剥离层； S4：对所述衬底进行甩胶处理，以在所述衬底表面形成一层平坦胶膜； S5：对所述衬底进行降温，基于所述剥离层对所述衬底进行剥片处理。
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