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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利LDMOS及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224101B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110414149.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权LDMOS及其形成方法是由成明设计研发完成，并于2021-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本LDMOS及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种LDMOS及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有第一隔离结构、第二隔离结构以及位于第一隔离结构、第二隔离结构之间并延伸至部分第一隔离结构、第二隔离结构下方的阱区，阱区中形成有漂移区，漂移区一侧与第一隔离结构邻接，且延伸至部分第一隔离结构下方；在半导体衬底表面形成栅氧化层；在漂移区和阱区上方的部分栅氧化层表面形成栅极层，其中位于漂移区上方的栅极层包括耗尽区，耗尽区包括掺杂离子类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区；在栅极层的侧壁形成侧墙；在侧墙两侧的漂移区和阱区中，分别形成漏区和源区，本申请技术方案的LDMOS及其形成方法，可以大幅度提高器件的击穿电压。

本发明授权LDMOS及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种LDMOS的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中具有第一隔离结构、第二隔离结构以及位于所述第一隔离结构、第二隔离结构之间并延伸至部分所述第一隔离结构、第二隔离结构下方的阱区，所述阱区中形成有漂移区，所述漂移区一侧与所述第一隔离结构邻接，且延伸至部分所述第一隔离结构下方； 在所述半导体衬底表面形成栅氧化层； 在所述漂移区和所述阱区上方的部分栅氧化层表面形成栅极层，其中位于所述漂移区上方的栅极层包括耗尽区，所述耗尽区包括掺杂离子类型相反的第一掺杂区和第二掺杂区，其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区沿所述栅极层的延伸方向交替分布，且位于所述第一掺杂区和第二掺杂区的栅极层的厚度均等于所述栅极层的总厚度；或者所述第一掺杂区和所述第二掺杂区自所述栅氧化层的表面沿所述栅极层的厚度方向依次层叠分布，且所述耗尽区的栅极层的厚度小于所述栅极层的总厚度； 在所述栅极层的侧壁形成侧墙； 在所述侧墙两侧的漂移区和阱区中，分别形成漏区和源区。

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