深圳大学丁科元获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210900323.0，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法是由丁科元;车勇勇;饶峰;陈彬;刘建彬设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法。所述相变异质结薄膜包括交替层叠的结构相变层和结构稳定层；其中，所述结构相变层为立方相的MxSb2Te3层，所述结构稳定层为六方相的TiyTe1‑y层，M为钪元素、钇元素中的一种。本发明基于由立方相的MxSb2Te3结构相变层以及六方相的TiyTe1‑y结构稳定层交替堆叠生长而形成的相变异质结薄膜具有更快的操作速度，更低的操作功耗，以及更好的疲劳循环寿命。同时还可以具有作为异质结材料共有的性能优点，即在更弱的原子扩散条件下的极低的阻值漂移特性和阻值波动性。
本发明授权一种相变异质结薄膜、相变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种相变异质结薄膜，其特征在于，所述相变异质结薄膜包括交替层叠的结构相变层和结构稳定层；其中，所述结构相变层为立方相的MxSb2Te3层，所述结构稳定层为六方相的TiyTe1‑y层，M为钪元素、钇元素中的一种； 0.1≤x≤1.6，0.3≤y≤0.5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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