广东工业大学张吴闻博获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115117241B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210821415.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用是由张吴闻博;蒋艳平;唐新桂设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用。本申请提供的氧化铪基阻变储存器的高阻值和低阻值之比高于没有掺杂镧的氧化铪阻变储存器，具有优异的双极阻变效应，说明本申请提供的氧化铪基阻变储存器通过对阻变功能层氧化铪薄膜掺杂镧，提高了氧化铪基阻变储存器的开关比，同时提高了氧化铪基阻变储存器的循环擦写的稳定性，本申请提供的氧化铪基阻变储存器解决了现有阻变储存器的储存性能还有待提高的技术问题。
本发明授权一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种氧化铪基阻变储存器，其特征在于，包括：衬底、底电极、阻变功能层、第一顶电极和第二顶电极； 所述底电极覆盖在所述衬底表面； 所述阻变功能层覆盖在所述底电极背离所述衬底的表面； 所述第一顶电极设置在所述底电极背离所述衬底的表面； 所述第二顶电极设置在所述阻变功能层背离所述衬底的表面； 所述阻变功能层为掺杂镧的氧化铪薄膜，所述掺杂镧的氧化铪薄膜中镧的质量分数为10%。
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