超光公司M·张获国家专利权
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龙图腾网获悉超光公司申请的专利使用深紫外辐射加工的电光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115104051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180012732.0，技术领域涉及：G02B6/136；该发明授权使用深紫外辐射加工的电光装置是由M·张;K·拉克设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本使用深紫外辐射加工的电光装置在说明书摘要公布了：描述一种光学装置。所述光学装置的至少一部分包括一种或多种铁电非线性光学材料，并且使用紫外平版印刷而被加工。在一些方面，使用深紫外平版印刷来加工所述光学装置的所述至少一部分。在一些方面，所述光学装置的所述至少一部分的侧壁的短距离均方根表面粗糙度小于十纳米。在一些方面，所述光学装置的所述至少一部分具有不超过2dBcm的损耗。
本发明授权使用深紫外辐射加工的电光装置在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括： 光学装置，所述光学装置的至少一部分包括至少一种铁电非线性光学材料，所述光学装置的所述至少一部分使用紫外UV光刻法而被加工并且包括所述铁电非线性光学材料的侧壁，所述侧壁具有小于十纳米的短距离均方根粗糙度，所述短距离均方根粗糙度是沿着侧面不超过两百纳米的长度的均方根粗糙度，其中所述光学装置的所述至少一部分在待拼接的区域中被拓宽； 其中所述侧壁使用UV光刻法、第一蚀刻和第二蚀刻而被加工，所述UV光刻法被用于形成用于从硬掩模层加工硬掩模的掩模，所述第一蚀刻用于去除所述硬掩模层的一部分以形成所述硬掩模，所述第二蚀刻用于去除所述铁电非线性光学材料的一部分以形成所述侧壁，所述第二蚀刻从干法蚀刻、反应离子蚀刻RIE、等离子体蚀刻和化学蚀刻进行选择，所述第二蚀刻不同于所述第一蚀刻，使得所述侧壁具有小于十纳米的所述短距离均方根粗糙度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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