买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115084043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210668528.0，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法是由何正鸿;何林;王森民设计研发完成，并于2022-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，扇出型封装结构包括芯片、第一塑封体、第二塑封体、扇出线路层和焊球，相较于现有技术，本发明利用第一缓冲块实现对第一塑封体的应力消除，能够起到良好的应力释放作用，解决第一塑封体翘曲的问题，同时能够在掉落测试中实现缓冲。在切割时切刀进入刚性第一塑封体时能够降低横向和纵向的扭力，减少布线层的拉扯，避免拉扯导致布线层与金属层脱落的问题。并且通过第一塑封体和第二塑封体的分体设置，实现了塑封结构的分层，使得仅仅只需要在第一塑封体中开槽填充形成第一缓冲块即可，降低了开槽深度，并使得应力释放效果更好。

本发明授权扇出型封装结构和扇出型封装结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型封装结构，其特征在于，包括： 芯片； 部分包覆在所述芯片周围的第一塑封体； 设置在所述第一塑封体一侧，并部分包覆在所述芯片周围的第二塑封体； 设置在所述芯片一侧，并与所述芯片电连接的扇出线路层； 以及，设置在所述扇出线路层远离所述芯片一侧，并与所述扇出线路层电连接的焊球； 其中，所述第一塑封体和所述第二塑封体的界面延伸至所述芯片的侧壁，以使所述芯片嵌设在所述第一塑封体和所述第二塑封体之间，所述第一塑封体围设在所述芯片的周围，并与所述芯片的正面相平齐，且所述第一塑封体中设置有若干个第一缓冲块，所述第一缓冲块贯通所述第一塑封体并与所述第二塑封体接触，用于缓冲所述第一塑封体内产生的结构应力； 所述第一缓冲块采用缓冲材料，所述缓冲材料的热膨胀系数小于塑封料的热膨胀系数，所述第一塑封体内的塑封料粒径小于所述第二塑封体内的塑封料粒径； 所述第一缓冲块呈倒T形，且所述第一缓冲块靠近所述第二塑封体的一端的宽度大于所述第一缓冲块靠远离所述第二塑封体的一端的宽度；所述第一塑封体内还设置有若干个第二缓冲块，所述第二缓冲块与所述第一缓冲块间隔设置，且所述第二缓冲块贯通所述第一塑封体并与所述第二塑封体接触；所述第二缓冲块呈T形，且所述第二缓冲块靠近所述第二塑封体的一端的宽度小于所述第二缓冲块远离所述第二塑封体的一端的宽度； 其中，所述第一缓冲块和是第二缓冲块反向设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人甬矽半导体(宁波)有限公司，其通讯地址为：315400 浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。