东京毅力科创株式会社斋藤祐介获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115066742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180013830.6，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权基片处理方法和基片处理系统是由斋藤祐介;村松诚;藤井宽之设计研发完成，并于2021-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理系统在说明书摘要公布了：本发明的对基片进行处理的基片处理方法包括：将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成上述涂敷液的液膜的步骤；对形成有上述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，上述含有机成分的金属氧化膜是包含上述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜；将上述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤；在上述干蚀刻后，将上述含有机成分的金属氧化膜中的上述有机成分除去的步骤；和将从上述含有机成分的金属氧化膜中除去了上述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。
本发明授权基片处理方法和基片处理系统在权利要求书中公布了：1.一种对基片进行处理的基片处理方法，其特征在于，包括： 将包含有机金属配合物、溶剂和添加物的涂敷液涂敷于基片，形成所述涂敷液的液膜的步骤； 对形成有所述涂敷液的液膜的基片进行加热，形成含有机成分的金属氧化膜的步骤，其中，所述含有机成分的金属氧化膜是包含所述添加物中所含的有机成分的金属氧化膜； 将所述含有机成分的金属氧化膜作为掩模进行干蚀刻的步骤； 在所述干蚀刻后，除去所述含有机成分的金属氧化膜中的所述有机成分的步骤；和将从所述含有机成分的金属氧化膜中除去了所述有机成分的膜通过湿蚀刻除去的步骤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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