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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064580B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210865414.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法是由郑雪峰;洪悦华;苑子健;张翔宇;何云龙;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法，主要解决现有技术无法有效提高器件反向击穿电压以及导通电阻较大的问题。其自下而上包括：阴极金属1、氧化镓衬底2、氧化镓轻掺杂外延层3、半导体介质层4和阳极金属5，其中，半导体介质层4的两端采用旋涂玻璃SOG作为边缘介质，以在氧化镓轻掺杂外延层的上部中间形成倒梯形凹槽结构，该凹槽内沉积有p型半导体材料作为中端介质，以提升边缘峰值电场。本发明提升了击穿电压，降低了导通电阻，提高了氧化镓器件的耐压，可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。

本发明授权一种高耐压的氧化镓PN结二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高耐压的氧化镓PN二极管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对氧化镓衬底2依次进行丙酮‑异丙醇‑去离子水清洗； 2采用氢化物气相外延技术HVPE方法在清洗后的氧化镓衬底2正面进行外延轻掺杂氧化镓层3，在氩气气氛下采用磁控溅射在氧化镓衬底背面沉积欧姆阴极金属1，并对欧姆阴极金属1进行欧姆退火； 3在氧化镓外延层3上沉积半导体介质层4： 3a使用甩胶机将旋涂玻璃SOG旋涂到氧化镓外延层3表面； 3b采用光刻技术在旋涂玻璃SOG表面形成光刻图形，使用2ml的49％浓度的氢氟酸与68ml的去离子水配制成BOE溶液，使用BOE溶液浸泡腐蚀旋涂玻璃SOG，以将光刻胶形成的掩膜图案转移到旋涂玻璃SOG上，形成倒梯形凹槽结构； 3c设置磁控溅射工艺条件：功率为100W，氧气对氩气的占比为50％，处理时间为80～120分钟，压强10mtorr，环境温度为25℃； 3d采用磁控溅射在倒梯形凹槽内沉积厚度为11～30nm的p型半导体材料，该p型半导体材料与边缘旋涂玻璃SOG共同构成半导体介质层4； 4在半导体介质层4正面上采用光刻工艺形成阳极图案，并根据阳极图案采用电子束蒸发沉积阳极金属5并剥离，完成器件制作。

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