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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115010080B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210602889.5，技术领域涉及：B81B1/00；该发明授权一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用是由牛刚;王浩先;任巍;武和平;罗韧;赵钢设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用，所述柔性针尖阵列干电极包括：柔性衬底、硅针尖阵列结构、石墨烯层、天线座和铜箔；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构；柔性衬底设置有硅针尖阵列结构的一侧设置有石墨烯层，另一侧设置有天线座；柔性衬底的四周边缘设置有铜箔，石墨烯层通过铜箔与天线座电连接；硅针尖阵列结构的硅针尖上溅射有金属导电层；金属导电层与石墨烯层电连接。本发明提供的柔性针尖阵列干电极，具有良好生物兼容性和电刺激以及记录效果优秀的探测干电极。

本发明授权一种柔性针尖阵列干电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性针尖阵列干电极，其特征在于，包括：柔性衬底4、硅针尖阵列结构2、石墨烯层3、天线座5和铜箔6； 所述柔性衬底4设置有所述硅针尖阵列结构2；所述柔性衬底4设置有所述硅针尖阵列结构2的一侧设置有石墨烯层3，另一侧设置有天线座5；所述柔性衬底4的四周边缘设置有铜箔6，所述石墨烯层3通过所述铜箔6与所述天线座5电连接；所述硅针尖阵列结构2的硅针尖上溅射有金属导电层1；所述金属导电层1与所述石墨烯层3电连接； 其中，所述柔性衬底4的材料为聚二甲基硅氧烷或聚酰亚胺； 所述硅针尖阵列结构2中的硅针尖为实心结构； 所述金属导电层1的材料为Pt、Au或Cu； 所述硅针尖阵列结构2的高度为100～200um；其中，相邻硅胶尖的间距为200～400um； 所述柔性针尖阵列干电极用于脑电信号测量； 所述的柔性针尖阵列干电极的制备方法包括以下步骤： 使用低压化学气相沉积在预先清洗的硅片的一侧依次沉积SiO2和Si3N4，获得掩膜层； 将硅片的另一侧与玻璃阳极键合； 基于获得的掩膜层，采用光刻、干法刻蚀和腐蚀方法，制备获得硅针尖阵列结构2； 基于获得的硅针尖阵列结构2，采用磁控溅射方法，在硅针尖溅射金属导电层1； 在所述玻璃制备有所述硅针尖阵列结构2的一侧淀积预先选取的材料，制备获得柔性衬底4；其中，使所述硅针尖阵列结构2嵌入所述柔性衬底4中，且硅针尖上的金属导电层1处于所述柔性衬底4外； 在所述柔性衬底4的表面转移石墨烯层3；其中，所述石墨烯层3与所述金属导电层1电连接； 腐蚀去掉所述玻璃获得初始电极；使用铜箔6包裹所述初始电极的四周边缘并固定； 在所述柔性衬底4未制备硅针尖阵列结构2的一侧贴合天线座5，使天线座5通过铜箔6与所述石墨烯层3电连接，制备获得柔性针尖阵列干电极。

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