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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种不同层数WS2-WSe2横向异质结及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210194693.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种不同层数WS2-WSe2横向异质结及其制备和应用是由段曦东;王娣;张正伟;黄子为;刘苗苗设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种不同层数WS2-WSe2横向异质结及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料制备领域，具体涉及不同层数WS2‑WSe2横向异质结的制备方法，将WSe2的粉末在1150～1200℃的温度下热处理；以热处理的WSe2为源物料，以WS2纳米片为基底，采用变气沉积手段，在逆向载气下将源物料加热至挥发温度，随后变换为正向载气，将挥发的源物料在WS2纳米片边缘横向沉积，再将沉积后的产物从沉积温度置于室温中进行骤冷，制得所述的WS2‑WSe2横向异质结；所述的逆向载气的方向指基底至源物料的方向；所述的挥发温度小于热处理温度，且温差为10～25℃；横向沉积的温度为800～950℃。本发明中，通过所述的手段以及参数的联合控制，能够协同诱导WSe2在WS2边缘横向生长，成功制备所述的横向异质结，还能够改善边界以及平滑性，并实现横向异质结纳米片的厚度人为调控。

本发明授权一种不同层数WS2-WSe2横向异质结及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种不同层数WS2‑WSe2横向异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤a：将WSe2的粉末在1150~1200℃的温度下热处理； 步骤b：以热处理的WSe2为源物料，以WS2纳米片为基底，采用变气沉积手段，在逆向载气下将源物料加热至挥发温度，随后变换为正向载气，将挥发的源物料在WS2纳米片边缘横向沉积，再将沉积后的产物从沉积温度置于室温中进行骤冷，制得所述的WS2‑WSe2横向异质结； 所述的逆向载气的方向指基底至源物料的方向；所述的挥发温度小于热处理温度，且温差为10~25℃； 横向沉积的温度为800~950℃； 热处理在保护气氛围内进行： 热处理的时间为10~30min；横向沉积的WSe2的层数为两层； 热处理的时间为40~90min；横向沉积的WSe2的层数为单层； 所述的室温温度为10~50℃；骤冷过程的气氛为保护性气氛；骤冷过程在逆向气流下进行。

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