上海禾赛科技有限公司刘颖彪获国家专利权
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龙图腾网获悉上海禾赛科技有限公司申请的专利单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664965B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011528558.9，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达是由刘颖彪;弗朗西斯科·潘泽里;向少卿设计研发完成，并于2020-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达，在本发明实施例提出的单光子雪崩二极管工作时，通过所述第一接触孔插塞对所述深槽隔离结构施加电压，调制所述PN结的周围区域的电场，从而使得更多的载流子集中于PN结区域，有利于降低PN结边缘区域被击穿的概率。且因为所述深槽隔离结构与所述第一掺杂区相间隔，从而在通过对深槽隔离结构施加电压时，能够有效地对PN结边缘区域的电场进行调制，同时所述PN结的电场强度不易受到深槽隔离结构的电压的影响，有利于提高所述单光子雪崩二极管的电学性能。
本发明授权单光子雪崩二极管、形成方法、驱动方法以及激光雷达在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括： 衬底和位于所述衬底上的二极管区，所述二极管区包括外延层、位于所述外延层顶部的第一掺杂区； 深槽隔离结构，所述深槽隔离结构与所述二极管区相邻，且与所述第一掺杂区相间隔； 介电层，位于所述深槽隔离结构的顶部； 第一接触孔插塞，贯穿所述介电层，与所述深槽隔离结构的顶部连接； 浅槽隔离结构，环绕所述深槽隔离结构的内侧和外侧，且位于所述外延层顶部与所述第一掺杂区相间隔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海禾赛科技有限公司，其通讯地址为：201821 上海市嘉定区新徕路468号园区二号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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