中国科学院微电子研究所朱慧珑获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664742B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210174390.9，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备是由朱慧珑设计研发完成，并于2019-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备在说明书摘要公布了：公开了一种制造静态随机存取存储SRAM单元的方法。根据实施例，该方法可以包括：在衬底上依次设置第一组的第一源漏层、沟道层和第二源漏层以及第二组的第一源漏层、沟道层和第二源漏层的叠层；在该叠层上形成硬掩模层，包括用于限定SRAM单元中晶体管的主体部分以及主体部分之间的、用于限定SRAM单元中互连结构的连接部分，连接部分的线宽小于主体部分的线宽；利用硬掩模层，在第二组的沟道层和第二源漏层中限定下拉晶体管和通过门晶体管的有源区；利用硬掩模层，在第二组的第一源漏层和第一组的第二源漏层中限定第一互连结构和第二互连结构；以及利用硬掩模层，在第一组的沟道层和第一源漏层中限定上拉晶体管的有源区。
本发明授权SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种制造静态随机存取存储SRAM单元的方法，包括： 在衬底上依次设置第一组的第一源漏层、沟道层和第二源漏层以及第二组的第一源漏层、沟道层和第二源漏层的叠层； 在所述叠层上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括主体部分和主体部分之间的连接部分，其中，主体部分用于限定SRAM单元中包括的晶体管，连接部分用于限定SRAM单元中包括的互连结构，连接部分的线宽小于主体部分的线宽； 利用硬掩模层，在第二组的沟道层和第二源漏层中限定SRAM单元中包括的晶体管中的下拉晶体管和通过门晶体管的有源区； 利用硬掩模层，在第二组的第一源漏层和第一组的第二源漏层中限定SRAM单元中包括的互连结构中的第一互连结构和第二互连结构；以及利用硬掩模层，在第一组的沟道层和第一源漏层中限定SRAM单元中包括的晶体管中的上拉晶体管的有源区。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号