爱思开海力士有限公司崔殷硕获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体装置和制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114628361B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110879733.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法是由崔殷硕设计研发完成，并于2021-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：层叠体，该层叠体包括层叠绝缘层和层叠导电层；单元插塞；连接接触结构；以及源极层，该源极层联接到单元插塞。单元插塞包括上部和下部，连接接触结构包括与单元插塞的下部设置在基本相同的高度的第一连接接触部以及与单元插塞的上部设置在基本相同的高度的第二连接接触部，第一连接接触部和第二连接接触部彼此接触所在的高度与单元插塞的上部和下部彼此接触所在的高度基本相同，并且第二连接接触部的最上部的高度高于源极层的底表面的高度并且低于源极层的顶表面的高度。
本发明授权半导体装置和制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 第一层叠体，所述第一层叠体包括在第一方向上交替层叠的层叠绝缘层和层叠导电层； 单元插塞，所述单元插塞穿过所述第一层叠体； 第二层叠体，所述第二层叠体包括在所述第一方向上交替层叠的所述层叠绝缘层和层叠牺牲层； 连接接触结构，所述连接接触结构穿过所述第二层叠体并与所述单元插塞设置在相同的高度；以及源极层，所述源极层联接到所述单元插塞，其中，所述单元插塞包括上部和下部，其中，所述连接接触结构包括与所述单元插塞的所述下部设置在相同的高度的第一连接接触部以及与所述单元插塞的所述上部设置在相同的高度的第二连接接触部，其中，所述第一连接接触部和所述第二连接接触部彼此接触所在的高度与所述单元插塞的所述上部和所述下部彼此接触所在的高度相同，并且其中，所述第二连接接触部的最上部的高度高于所述源极层的底表面的高度，并且低于所述源极层的顶表面的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人爱思开海力士有限公司，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励