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龙图腾网获悉北京航空航天大学;北京微电子技术研究所申请的专利抗辐射磁性存储单元、存储器及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210227460.2，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权抗辐射磁性存储单元、存储器及设备是由王碧;王旻;王昭昊;赵巍胜;赵元富;王亮;陈雷设计研发完成，并于2022-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本抗辐射磁性存储单元、存储器及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种抗辐射磁性存储单元、存储器及设备，所述单元包括第一开关元件、第一隔离单元、第二开关元件、第二隔离单元和磁性存储器；所述磁性存储器包括自旋轨道矩层及设于所述自旋轨道矩层上的磁隧道结；所述第一开关元件与所述自旋轨道矩层的写入信号输入端和存储阵列位线分别连接，所述第一隔离单元与所述自旋轨道矩层的写入信号输出端和存储阵列源线分别连接；所述第二开关元件的一端通过所述第二隔离单元与所述磁隧道结的顶端连接，另一端与所述存储阵列位线连接，所述第二隔离单元为导通状态，本发明可提高磁性存储器件的抗辐射性能和可靠性。

本发明授权抗辐射磁性存储单元、存储器及设备在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射磁性存储单元，其特征在于，包括第一开关元件、第一隔离单元、第二开关元件、第二隔离单元和磁性存储器； 所述磁性存储器包括自旋轨道矩层及设于所述自旋轨道矩层上的磁隧道结； 所述第一开关元件与所述自旋轨道矩层的写入信号输入端和存储阵列位线分别连接，所述第一隔离单元与所述自旋轨道矩层的写入信号输出端和存储阵列源线分别连接； 所述第二开关元件的一端通过所述第二隔离单元与所述磁隧道结的顶端连接，另一端与所述存储阵列位线连接，所述第二隔离单元为导通状态； 当写入数据时，所述第一开关元件响应于第一写入信号导通所述存储阵列位线与所述自旋轨道矩层，所述第一隔离单元响应于第二写入信号导通所述存储阵列源线与所述自旋轨道矩层；当读取数据时，所述第二开关元件响应于第一读取信号导通所述存储阵列位线与磁隧道结，所述第一隔离单元响应于第二读取信号导通所述存储阵列源线与所述自旋轨道矩层； 其中，所述第一开关元件为第一晶体管；所述第一隔离单元包括第三开关元件，所述第三开关元件为第二晶体管；所述第二开关元件为第三晶体管；所述第二隔离单元包括第四开关元件；所述第四开关元件为第四晶体管。

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