格芯(美国)集成电路科技有限公司V·杰恩获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利用认证膜认证集成电路的方法及相关结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114520210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111367821.5,技术领域涉及:H01L23/544;该发明授权用认证膜认证集成电路的方法及相关结构是由V·杰恩;S·K·辛格;J·A·康塔洛夫斯基;S·P·阿杜苏米利;S·T·文特罗内;J·J·埃利斯-莫纳甘;Y·T·尼古设计研发完成,并于2021-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用认证膜认证集成电路的方法及相关结构在说明书摘要公布了:本发明涉及用认证膜认证集成电路的方法及相关结构。本公开提供了一种认证集成电路IC结构的方法。该方法可以包括在IC结构内形成第一认证膜AF材料。第一AF材料的组成不同于IC结构内的相邻材料。该方法包括将第一AF材料转化为IC结构内的空隙。此外,该方法包括创建IC结构的认证布局以包括用于认证IC结构的IC结构中空隙的位置。
本发明授权用认证膜认证集成电路的方法及相关结构在权利要求书中公布了:1.一种认证集成电路IC结构的方法,所述方法包括: 在所述IC结构内形成第一认证膜AF材料,其中所述第一AF材料的组成不同于所述IC结构内的相邻材料; 将所述第一AF材料转化为所述IC结构内的空隙; 创建所述IC结构的认证布局,所述认证布局包括用于认证所述IC结构的所述空隙在所述IC结构中的位置;以及从所述IC结构的外部光学地检测所述空隙在所述IC结构中的位置,以提供所述IC结构的认证。
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