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龙图腾网获悉郑州大学申请的专利一种新型高维持电压SCR结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334952B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111561780.3，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种新型高维持电压SCR结构是由王耀;范晓梅;刘俊杰设计研发完成，并于2021-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高维持电压SCR结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底，所述P型衬底顶部设有一组P型阱区和一组第一N型阱区，所述P型阱区远离第一N型阱区一侧设有第二N型阱区；所述P型阱区一侧设有第一P+重掺杂区域，所述P型阱区另一侧设有第二P+重掺杂区域；本发明根据现有需求进行设计，在P型阱区添加了第三P+重掺杂区，并在与P型阱相邻处添加了第二N型阱区，扩展了第二P+重掺杂区域，在不增加工艺复杂度和失效电流基本不变的情况下，提高SCR器件的维持电压，避免闩锁效应的威胁。

本发明授权一种新型高维持电压SCR结构在权利要求书中公布了：1.一种新型高维持电压SCR结构，包括P型衬底100，其特征在于：所述P型衬底100顶部设有一组P型阱区200和一组第一N型阱区300，所述P型阱区200远离第一N型阱区300一侧设有第二N型阱区400； 所述P型阱区200一侧设有第一P+重掺杂区域500，所述P型阱区200另一侧设有第二P+重掺杂区域600； 所述P型阱区200上设有第三P+重掺杂区201，所述第三P+重掺杂区201两侧均设有浅沟道隔离，所述第一P+重掺杂区域500设置在浅沟道隔离远离第三P+重掺杂区201一侧； 所述第一P+重掺杂区域500和第三P+重掺杂区201通过金属线互连； 所述第一P+重掺杂区域500设置在P型阱区200与第一N型阱区300桥接处，所述第二P+重掺杂区域600设置在P型阱区200与第二N型阱区400桥接处； 所述第一N型阱区300上设有第一N+注入区301和第一P+注入区302，所述第一N+注入区301和第一P+注入区302之间设有浅沟道隔离，所述第一N+注入区301远离第一P+注入区302一侧设有浅沟道隔离； 所述第二N型阱区400上设有第二N+注入区401，所述第二N+注入区401两侧均设有浅沟道隔离。

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