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龙图腾网获悉矽磐微电子(重庆)有限公司申请的专利半导体封装方法及半导体封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334673B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011040502.9，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体封装方法及半导体封装结构是由周文武设计研发完成，并于2020-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装方法及半导体封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体封装方法及半导体封装结构。该半导体封装方法包括：S1：将第一包封结构件贴装于支撑板上，第一包封结构件中包封有第一待封装芯片；S2：在第一包封结构件上形成第一再布线结构，第一再布线结构与第一待封装芯片电连接；S3：将第二待封装芯片贴装于第一包封结构件上，且第二待封装芯片部分叠设于第一待封装芯片上；S4：形成第二包封结构件；S5：在第二包封结构件上形成第二再布线结构，第二再布线结构与第一再布线结构和第二待封装芯片均电连接；S6：剥离支撑板。该半导体封装结构通过该半导体封装方法制得。本申请通过分别对第一芯片和第二芯片进行封装，从而解决了超薄芯片在结构上的脆弱性。

本发明授权半导体封装方法及半导体封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构的封装方法，其特征在于，其包括以下步骤： S1：提供第一包封结构件，并将所述第一包封结构件贴装于支撑板上，所述第一包封结构件中包封有第一待封装芯片，所述第一待封装芯片包括相对设置的正面和背面，并通过第一包封层包封，所述第一包封结构件包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一待封装芯片的正面对应于所述第一包封结构件的第一表面，所述第一包封结构件的第二表面朝向所述支撑板； S2：在所述第一包封结构件的第一表面上形成第一再布线结构，所述第一再布线结构与所述第一待封装芯片的正面电连接；所述第一再布线结构部分叠设于所述第一待封装芯片上； S3：将第二待封装芯片贴装于所述第一包封结构件的第一表面上，所述第二待封装芯片的背面朝向所述第一包封结构件的第一表面，且所述第二待封装芯片部分叠设于所述第一待封装芯片上；所述第二待封装芯片远离所述第一包封结构件的表面到所述第一包封结构件的距离小于所述第一再布线结构远离所述第一包封结构件的表面到所述第一包封结构件的距离； S4：通过第二包封层覆盖在所述第一再布线结构和所述第二待封装芯片上，对所述第一再布线结构和所述第二待封装芯片塑封形成所述第二包封结构件，所述第二包封结构件包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第二待封装芯片的正面对应于所述第二包封结构件的第一表面； S5：在所述第二包封结构件的第一表面上形成第二再布线结构，所述第二再布线结构与所述第一再布线结构和所述第二待封装芯片的正面均电连接； S6：剥离所述支撑板。

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