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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284428B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362349.6，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法是由韩叶梅;马美冰;尹鑫;曹海兴;孙正;王芳;张楷亮设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于PMN‑PT的铁电铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，小尺寸FeCo铁磁薄膜的制备是利用离子束沉积结合光刻工艺在PMN‑PT单晶衬底上掩模特定的图形；将PMN‑PT单晶压电衬底和Fe65Co35合金靶材置入溅射室，利用离子束溅射制备铁磁薄膜。本发明得到的磁电存储元件同传统的非易失性存储器相比，磁电存储器件具有功耗小、读写速度快的优点，对于满足未来存储器件的实际需求具有重要的意义。利用离子束溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。

本发明授权一种基于PMN-PT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于PMN‑PT的铁电铁磁薄膜结构的磁电存储元件的制备方法：其特征是：该磁电存储元件是在PMN‑PT单晶衬底上沉积铁磁薄膜制成叠层结构，具有压电效应的铁电层化学结构式为0.7[PbMg13Nb23O3]‑0.3[PbTiO3]，厚度为0.5mm，具有磁致伸缩效应的Fe65Co35薄膜，厚度为20‑40nm；制备方法如下： 小尺寸FeCo铁磁薄膜的制备是利用离子束沉积结合光刻工艺在PMN‑PT单晶衬底上掩模特定的图形； 将PMN‑PT单晶压电衬底和Fe65Co35合金靶材置入溅射室，对溅射室抽真空至1×10‑4～2×10‑4Pa，调节氩气流量为9.4sccm，设置3cm考夫曼离子枪电源，将放电电压调到70V，放电灯丝电流调整为5A，预热五分钟的时间，然后缓慢地调节电流直至产生放电，再接将加速电压设置到200V，加速电流显示6～10mA，最后调整束流，调整束流电压至500V，确保束流在15mA，常温下溅射30‑60min，取出样品后用丙酮将光刻胶全部去掉，且利用异丙醇和超纯水进行清洗，获得纯净的PMN‑PTFeCo复合薄膜。

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