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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362156.0，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法是由韩叶梅;马美冰;尹鑫;曹海兴;孙正;王芳;张楷亮设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种基于BZT‑BCT的铁电铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法，属于半导体集成电路技术领域，存储单元以叠层结构的磁电薄膜为介质，外加电场改变铁电层的极化状态通过磁电耦合效应影响铁磁层的磁化状态而实现电场控制电阻状态，写入媒介是电场，存储媒介是铁磁层的电阻状态，电阻状态的改变基于BZT‑BCT和Fe65Co35之间的应力应变机制的磁电效应，本发明采用具有大压电系数的BZT‑BCT和大磁致伸缩效应的Fe65Co35叠层制备存储元件有利于电致电阻转变效应的获得，同传统的非易失性存储器相比，具有功耗小、读写速度快的优点。并且利用磁控溅射制备层状复合薄膜器件，工艺简单，与半导体工艺兼容。

本发明授权一种基于BZT-BCT的铁电/铁磁复合薄膜的磁电存储元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于BZT‑BCT的铁电铁磁薄膜结构的磁电存储元件的制备方法，其特征是：该磁电存储元件是在PtTiSiO2Si复合衬底上依次沉积铁电和铁磁薄膜制成叠层结构，其中复合衬底自下而上分别为Si、SiO2、Ti和Pt底电极，具有压电效应的铁电薄膜化学结构式为0.5BaZr0.2Ti0.8O3‑0.5Ba35Ca65TiO3BZT‑BCT，厚度为200‑400nm，具有磁致伸缩效应的薄膜为Fe65Co35，厚度为20‑40nm； 铁电陶瓷薄膜利用射频磁控溅射制备，铁磁薄膜由Fe65Co35合金靶材利用离子束溅射制备，步骤如下： 1将PtTiSiSiO2衬底和BZT‑BCT陶瓷靶材一起放入溅射室，抽真空，然后通入氩气与氧气的混合气，经射频磁控溅射后，从溅射室取出在空气气氛下热处理，制得铁电陶瓷薄膜； 2首先是将制得的铁电陶瓷薄膜薄膜利用标准RCA清洗工艺进行清洗，去除薄膜表面的有机和无机杂质；其次，利用甩胶机在铁电层薄膜旋涂一层紫外正胶，并利用加热台对其进行烘干；待其冷却之后，在掩膜版的掩蔽作用之下进行紫外曝光；最后在显影液中进行显影，得到所需要的图形； 3将以上制备的光刻胶附着的铁电陶瓷薄膜作为衬底和Fe65Co35合金靶材一起放入离子束溅射室，抽真空后通入氩气，经离子束溅射后，从溅射室取出去除光刻胶即制得铁电铁磁复合薄膜的磁电存储元件； 步骤1中，溅射室抽真空，然后通入压强为1.5‑2.5Pa、氩气与氧气的体积比为20:15‑30:20的混合气，衬底温度为500‑700℃、射频功率为50‑60w、溅射时间为1.5‑4h，从溅射室取出后在500℃和空气气氛下热处理30分钟； 步骤3中，离子束溅射室抽真空，通入氩气流量为9.4sccm、放电电压75V、放电电流0.2A、加速电压200V、束流电压500V、溅射时间为10‑30min。

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