北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司任烨获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011026273.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由任烨;卜伟海;郑凯;武咏琴设计研发完成，并于2020-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构；栅极结构，位于所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上；第一侧墙，位于所述栅极结构的侧壁；源极和漏极，位于所述栅极结构两侧的半导体衬底中，其中，所述第一区域还包括轻掺杂源极，所述轻掺杂源极延伸至所述第一区域上源极一侧的第一侧墙下方；第二侧墙，位于所述第一区域上的漏极一侧的第一侧墙侧壁以及所述第二区域的第一侧墙侧壁。本申请所述的半导体结构及其形成方法，可以改善TFET器件的双极效应以及提高器件的隧穿电流，提高器件可靠性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及隔离所述第一区域和所述第二区域的隔离结构，所述第一区域和所述第二区域的半导体衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧壁依次形成有第一侧墙和第二侧墙，所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成有源极和漏极，所述第一区域为TFET区域；所述第二区域包括MOSFET区域或者TFET区域； 去除所述第一区域上的源极一侧的第二侧墙，暴露出部分半导体衬底，不去除所述第一区域上的漏极一侧的第二侧墙； 在所述暴露出的半导体衬底中形成轻掺杂源极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号9幢一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号