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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-30发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110570447.2，技术领域涉及：G11C8/08；该发明授权半导体存储装置是由武木田秀人设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供一种能够提高处理能力的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置包含存储器串NS、第1至第4选择栅极线SGDT、SGD、SGS、SGSB、第1及第2字线WL、位线BL、以及源极线SL，所述存储器串NS包含第1至第4选择晶体管STT1、ST1、ST2、STB2、以及第1及第2存储单元MC。抹除动作包含第1及第2模式。在第1模式区块抹除模式中，对位线及源极线施加第1电压Vera，对第1至第4选择栅极线施加第2电压Verasgdt、第3电压Verasgd，且分别施加第4电压Verasgs、第5电压Verasgsb，对第1及第2字线施加第6电压VDD。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 存储器串，包含第1选择晶体管、第2选择晶体管、第3选择晶体管、第4选择晶体管、第1存储单元以及第2存储单元，且是依序将所述第1选择晶体管、所述第2选择晶体管、所述第1存储单元、所述第2存储单元、所述第3选择晶体管及所述第4选择晶体管串联连接而成； 第1选择栅极线、第2选择栅极线、第3选择栅极线及第4选择栅极线，分别连接于所述第1选择晶体管、所述第2选择晶体管、所述第3选择晶体管及所述第4选择晶体管的栅极； 第1字线及第2字线，分别连接于所述第1存储单元及所述第2存储单元的栅极； 位线，连接于所述第1选择晶体管； 源极线，连接于所述第4选择晶体管；以及行解码器，构成为对所述第1选择栅极线、所述第2选择栅极线、所述第3选择栅极线及所述第4选择栅极线、以及所述第1字线及所述第2字线施加电压； 抹除动作包含：第1模式，抹除所述第1存储单元及所述第2存储单元的数据；以及第2模式，抹除所述第1存储单元及所述第2存储单元中一者的数据； 在所述第1模式中，对所述位线及所述源极线施加第1电压，对所述第1选择栅极线施加低于所述第1电压且在所述第1选择晶体管中产生GIDL的第2电压，对所述第2选择栅极线施加第3电压，对所述第3选择栅极线施加第4电压，对所述第4选择栅极线施加低于所述第1电压且在所述第4选择晶体管中产生GIDL的第5电压，对所述第1字线及所述第2字线施加低于所述第1电压、所述第2电压、所述第3电压、所述第4电压及第5电压的第6电压。

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