矽卓光电技术(天津)有限公司冯永茂获国家专利权
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龙图腾网获悉矽卓光电技术(天津)有限公司申请的专利一种基于电容阵列充放电的驱动系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN111431029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910023362.5,技术领域涉及:H01S5/042;该发明授权一种基于电容阵列充放电的驱动系统是由冯永茂;吴金祥;孙哲;徐秀知;王奕如设计研发完成,并于2019-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电容阵列充放电的驱动系统在说明书摘要公布了:本公开揭示了一种基于电容阵列充放电的驱动系统,包括:输入端充电功率变换模块、电容阵列、输出端放电功率变换模块、PWM模块和MCU主控模块。本公开克服了现有驱动系统中存在的输出电压、电流可调范围小、参数设置不灵活以及驱动电流的上升下降沿的波形线性度不够而导致系统有功功率下降的问题,通过利用电容阵列的高效率、快速充放电的特性灵活的匹配输入输出电压、电流,以实现输入电压、输出电压自适应和高峰值脉冲输出,满足大功率半导体激光器的驱动要求。
本发明授权一种基于电容阵列充放电的驱动系统在权利要求书中公布了:1.一种基于电容阵列充放电的驱动系统,包括:输入端充电功率变换模块、电容阵列、输出端放电功率变换模块、PWM模块和MCU主控模块; 所述输入端充电功率变换模块包括系统电源和充电功率变换原理电路,其中,充电功率变换原理电路用于将系统电源的电能进行调压处理并转化为适于电容阵列存储的电能; 所述充电功率变换原理电路包括第一MOSFET驱动电路和第一拓扑电路;其中, 所述第一MOSFET驱动电路的输入端与PWM模块的输出端及MCU主控模块电连接,输出端与MOSFET管Q3、Q4的栅极及第一拓扑电路电连接,用于接收PWM模块输出的PWM信号以驱动MOSFET管Q3、Q4的导通或关断; 所述第一拓扑电路包括Buck拓扑模式和Boost拓扑模式; 所述电容阵列包括若干并联连接的电容,用于存储经所述充电功率变换原理电路转化后的系统电源的电能; 所述输出端放电功率变换模块包括放电功率变换原理电路和脉冲驱动负载,其中,放电功率变换原理电路用于将电容阵列所存储的电能进行调压处理并传输至脉冲驱动负载; 所述放电功率变换原理电路包括第二MOSFET驱动电路和第二拓扑电路;其中, 所述第二MOSFET驱动电路输入端与PWM模块的输出端及MCU主控模块电连接,输出端与MOSFET管Q5、Q6、Q7、Q8的栅极及第一拓扑电路电连接,用于接收PWM模块输出的PWM信号以驱动MOSFET管Q5、Q6、Q7和Q8导通或者关断; 所述第二拓扑电路包括Buck拓扑模式和Boost拓扑模式; 所述PWM模块能够产生PWM调制信号,用于驱动充电功率变换原理电路和放电功率变换原理电路; 所述MCU主控模块用于采集所述输入端充电功率变换模块、输出端放电功率变换模块的电压、电流信号并输出用于控制PWM模块的控制信号; 第一MOSFET驱动电路采用具有可编程死区时间的MOSFET驱动器MDR;PWM模块输出端CMD-PWM串接电阻R2后与MDR的Pin8电连接;MCU输出端CMD-EN串接电阻R3后与MDR的Pin7电连接;MDR的Pin6串接电阻R4后接地,电阻R4的大小决定输出PWM的死区时间;VCC电源串接电阻R1后分为三个分支,第一个分支连接并联电容C1和电容C2后接地,用来滤除电源纹波,第二个分支与MDR的Pin1电连接,第三个分支与二极管D1的正极电连接;MDR的Pin2连接二极管D1的负极,同时Pin2连接电容C3后与Pin4连接;MDR的Pin3与Pin4之间串接电阻R6;MDR的Pin3连接电阻R5后与Q3的栅极连接;MDR的Pin10串接电阻R8后接地,同时Pin10连接电阻R7后与Q4的栅极连接;MDR的Pin5和Pin9都接地;MDR的Pin3和Pin10的输出信号相位相差180°,以防止Q3与Q4同时导通,以避免电源与地接通,瞬时电流过大从而烧坏电路; 第二MOSFET驱动电路上同样采用具有可编程死区时间的MOSFET驱动器MDR2;PWM模块的输出端DRM-PWM串接电阻R10后与MDR2的Pin8电连接;MCU输出端DRM-EN串接电阻R11后与MDR2的Pin7电连接;MDR2的Pin6串接电阻R12后接地,电阻R12的大小决定输出PWM的死区时间;VCC电源串接电阻R9之后分为三个分支,第一个分支连接并联电容C6和电容C7后接地,用来滤除电源纹波,第二个分支与MDR2的Pin1电连接,第三个分支与二极管D2的正极电连接;MDR2的Pin2连接二极管D2的负极,同时Pin2连接电容C8后与Pin4连接;MDR2的Pin3分成三个分支,第一分支连接电阻R14后与Q5的栅极连接,第二分支连接电阻R13后与Q7的栅极连接,第三分支连接电阻R15后接Pin4;MDR2的Pin10分成三个分支,第一分支连接电阻R17后与Q6的栅极连接,第二分支连接电阻R16后与Q8的栅极连接,第三分支连接电阻R18后接地;MDR2的Pin5和Pin9都接地;MDR2的Pin3和Pin10的输出信号相位相差180°,防止Q5、Q7与Q6、Q8同时导通,以避免电源与地接通,瞬时电流过大从而烧坏电路。
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