应用材料公司高建德获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116970926B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780628.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制是由高建德;元泰景;卡尔·A·索伦森;桑杰伊·D·雅达夫;李永东;栗田真一;崔寿永设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制在说明书摘要公布了：本公开内容的多个实施方式包括用于在大面积基板上沉积多个层的方法与设备。在一个实施方式中，提供一种用于等离子体沉积的处理腔室。处理腔室包括喷头与基板支撑组件。喷头耦接至射频功率源并且接地，并且喷头包括多个穿孔气体扩散构件。多个等离子体施加器设置于喷头内，其中多个等离子体施加器中的一个等离子体施加器对应于多个穿孔气体扩散构件中的一个穿孔气体扩散构件。进一步地，直流偏压电源耦接至基板支撑组件。
本发明授权用于等离子体增强化学气相沉积的膜应力控制在权利要求书中公布了：1.一种等离子体沉积腔室，所述等离子体沉积腔室包括： 喷头，所述喷头具有多个穿孔构件，所述穿孔构件中的每一个穿孔构件由多个支撑构件中的相邻支撑构件支撑； 多个介电板，所述多个介电板设置于所述多个穿孔构件上方，每一个介电板由相邻支撑构件支撑， 背板，所述背板设置于所述多个介电板上方，所述背板由所述多个支撑构件耦接至所述多个介电板，其中 各自的穿孔构件、各自的介电板和相邻支撑构件界定气体空间，所述气体空间与相邻支撑构件流体连通，和 各自的介电板、所述背板和相邻支撑构件界定线圈空间； 多个感应线圈，各感应线圈由各自的线圈空间中的各介电板支撑；和 基板支撑组件，其中所述基板支撑组件包括基板偏压板，所述基板偏压板耦接至电源和低通滤波器，所述低通滤波器设置于所述基板偏压板与所述电源之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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