意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司P·波伊文获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司申请的专利相变存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018233B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010462793.4，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器是由P·波伊文;D·贝努瓦;R·贝特隆设计研发完成，并于2020-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器在说明书摘要公布了：本公开涉及一种相变存储器的制造方法和相变存储器设备。方法包括在空腔中形成第一绝缘层，该空腔以与相变材料带垂直对齐的方式放置，并各向异性地蚀刻第一绝缘层的位于空腔底部的部分；以及包括第一绝缘层的相变存储器设备，该第一绝缘层紧靠以与相变材料带垂直对齐的方式放置的空腔的侧壁。
本发明授权相变存储器在权利要求书中公布了：1.一种制造相变存储器的方法，包括： 在衬底上形成晶体管； 在所述晶体管上形成第一绝缘层； 形成延伸穿过所述第一绝缘层的导电过孔； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层； 在所述导电过孔上形成电阻元件，所述电阻元件延伸穿过所述第二绝缘层； 在所述电阻元件上形成相变材料层； 在所述相变材料层上形成导电层； 在所述导电层上形成第三绝缘层； 在所述第三绝缘层中形成空腔，所述空腔垂直覆盖在所述相变材料层之上；以及 在所述空腔的侧壁和底面上形成第四绝缘层， 其中形成所述空腔包括：形成具有侧壁的次级腔，并且所述次级腔的所述侧壁的一部分由所述相变材料层形成，并且 其中所述次级腔的所述侧壁的一部分由所述电阻元件形成。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国克洛尔；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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