奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司G·彼得森获国家专利权
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龙图腾网获悉奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司申请的专利制造电子器件的方法及电子器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114175284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080054947.4,技术领域涉及:H10H20/85;该发明授权制造电子器件的方法及电子器件是由G·彼得森;D·里希特设计研发完成,并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造电子器件的方法及电子器件在说明书摘要公布了:说明了一种用于制造电子器件的方法,具有以下步骤:‑提供可造型衬底(1),‑将至少一个半导体芯片(3)施加到所述可造型衬底(1)的第一主面(2)上,‑通过使所述可造型衬底(1)变形将所述半导体芯片(3)引入所述可造型衬底(1)中,使得所述半导体芯片(3)从所述第一主面(2)开始嵌入所述可造型衬底(1)中,其中所述半导体芯片(3)的至少一个电接触部(7)能够从外部自由接近。
本发明授权制造电子器件的方法及电子器件在权利要求书中公布了:1.一种用于制造电子器件的方法,具有以下步骤: -提供可造型衬底1, -将至少一个半导体芯片3施加到所述可造型衬底1的第一主面2上, -通过使所述可造型衬底1变形将所述半导体芯片3引入所述可造型衬底1中,使得所述半导体芯片3从所述第一主面2开始嵌入所述可造型衬底1中,其中所述半导体芯片3的至少一个电接触部7能够从外部自由接近,其中所述半导体芯片是发射辐射的倒装芯片,并且所述倒装芯片3的辐射出射面20没有电接触部, -提供在第一主面11上具有至少一个电连接点12的载体10,以及 -在将所述半导体芯片3引入所述可造型衬底1之后,将所述载体10施加到所述可造型衬底1的第一主面2上,使得所述半导体芯片3的至少一个电接触部7与所述电连接点12电接触, 其中所述可造型衬底1和所述载体10分别是未交联或部分交联的聚合物膜,以及所述载体10和所述可造型衬底1通过完全交联而机械稳定地彼此连接。
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