三星电子株式会社金熙中获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112331663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010756097.4，技术领域涉及：H10B41/20；该发明授权半导体存储器器件是由金熙中;安泰炫;李基硕;金根楠;黄有商设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器器件在说明书摘要公布了：一种半导体存储器器件包括：堆叠，包括垂直地堆叠在衬底上的多个单元层，每个单元层包括在第一方向上延伸的位线和在与第一方向交叉的第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，沿着垂直地堆叠的半导体图案中的每个；垂直绝缘层，在栅电极上；停止物层；以及数据存储元件，分别电连接到半导体图案中的每个。数据存储元件中的每个包括：第一电极，电连接到半导体图案中的相应半导体图案；在第一电极上的第二电极；以及电介质层，在第一电极与第二电极之间。停止物层在垂直绝缘层与第二电极之间。
本发明授权半导体存储器器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器器件，包括： 堆叠，包括垂直地堆叠在衬底上的多个单元层，所述多个单元层中的每个包括在第一方向上延伸的位线和在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述位线延伸的半导体图案； 栅电极，沿着垂直地堆叠的所述半导体图案中的每个； 垂直绝缘层，在所述栅电极上； 停止物层；以及 数据存储元件，分别电连接到所述半导体图案中的每个， 其中所述数据存储元件中的每个包括： 第一电极，电连接到所述半导体图案中的相应半导体图案； 第二电极，在所述第一电极上；以及 电介质层，在所述第一电极与所述第二电极之间，以及 所述停止物层在所述垂直绝缘层与所述第二电极之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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