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龙图腾网获悉河海大学申请的专利一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114065563B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010770713.1，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法是由平学伟;王明妤;殷兴辉;沈洁;李昌利设计研发完成，并于2020-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法。该方法将布线区域分成两个不同的区域：主线圈区域与屏蔽线圈区域，将每个区域沿轴向分成若干矩形网格，并在每个网格内将电流密度用小波基函数插值表示，然后通过建立合适的线性规划模型并求解得到布线区域内的电流密度，进而确定线圈的参数。该方法采用小波基函数表示布线区域内的电流分布，与传统的数学模型相比，得到的布线区域内的电流簇更集中，设计的线圈更易于加工。

本发明授权一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于插值基函数的高均匀磁场线圈设计方法，其特征在于，所述高均匀磁场线圈包括主线圈与屏蔽线圈，每个线圈由若干螺线管线圈组成，所述方法包括如下步骤： 1确定主线圈与屏蔽线圈的布线区域尺寸，将每个布线区域沿轴向方向分成若干矩形网格，给每个网格进行编号，网格1至MP为主线圈网格，MP+1至M为屏蔽线圈网格,每个网格径向长度为Rm，m为每个网格的编号，取值范围为：m＝1,2...M； 2编号为m的网格内的电流密度采用如下的插值函数表示： 上式中，εm,iρ为第m个网格内的第i个插值基函数，xm,i为待求系数，ρ为网格内任一点的径向坐标，Nm为第m个网格内的基函数个数，εm,iρ的表达式如下， 主线圈区域： 屏蔽线圈区域： 上式中，Rp,min表示主线圈允许的径向最小值，Rs,max表示屏蔽线圈允许的径向最大值； 每个基函数与系数都分别对应一个局部编号m,i与全局编号j，二者关系为： 总的基函数个数为 3建立并求解优化目标为的线圈优化问题的数学模型，得到布线区域内的电流密度分布； 4步骤3得到的电流密度为集中分布在几个区域的电流簇，将每个电流簇用螺线管线圈代替，得到高均匀磁场线圈的结构。

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