中芯南方集成电路制造有限公司刘中元获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯南方集成电路制造有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010777534.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由刘中元设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述结构包括：衬底，所述衬底上形成有第一介质层；金属连接结构，贯穿所述第一介质层且所述金属连接结构的顶面高于所述第一介质层的顶面，所述金属连接结构顶部的宽度大于所述金属连接结构底部的宽度；阻挡层，位于所述第一介质层表面，所述阻挡层的顶面与所述金属连接结构的顶面共面；第二介质层，位于所述阻挡层表面和所述金属连接结构表面；层间连接结构，贯穿所述第二介质层且电连接所述金属连接结构。所述结构一方面可以避免形成层间连接结构时过量刻蚀，影响后续形成所述层间连接结构；另一方面可以增大层间连接结构的核心尺寸，提高其填充质量。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底上形成有第一介质层； 在所述第一介质层中形成贯穿所述第一介质层的金属连接结构，所述金属连接结构顶部的宽度大于所述金属连接结构底部的宽度，形成所述金属连接结构的方法包括：在所述第一介质层中形成贯穿所述第一介质层的第一沟槽；回刻蚀所述第一沟槽，使所述第一沟槽顶部的宽度大于所述第一沟槽底部的宽度；在所述第一沟槽中形成所述金属连接结构； 回刻蚀所述第一介质层使所述第一介质层的顶面低于所述金属连接结构的顶面； 在所述第一介质层表面形成阻挡层，所述阻挡层的顶面与所述金属连接结构的顶面共面，形成所述阻挡层的方法包括：在所述第一介质层表面和所述金属连接结构表面形成阻挡材料层；使用化学机械研磨工艺研磨所述阻挡材料层至暴露所述金属连接结构形成所述阻挡层； 在所述阻挡层表面和所述金属连接结构表面形成第二介质层； 在所述第二介质层中形成贯穿所述第二介质层且电连接所述金属连接结构的层间连接结构。
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