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龙图腾网获悉C2安培有限公司申请的专利制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114430862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080064240.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET是由拉尔斯-埃里克·维纳森;奥利-佩卡·基尔皮设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET在说明书摘要公布了：提供了一种用于在包括至少一条竖直纳米线125的半导体衬底110上制造非对称竖直纳米线MOSFET100的方法，该至少一条竖直纳米线包括核心部分120和外壳部分130，该外壳部分包围核心部分120。该方法包括：在半导体衬底110上沉积保护层140；在竖直纳米线125的未被保护层140遮盖的剩余部分120t周围形成顶部接触件150；去除保护层140；在半导体衬底110上沉积间隔层160；去除竖直纳米线125的底部分125b的中间部分125i的外壳部分；修整竖直纳米线125的底部分125b的上部部分125u的外壳部分；在间隔层160上沉积金属栅极170，并且形成下源极漏极部分和上源极漏极部分。

本发明授权制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法和非对称竖直纳米线MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种用于在包括至少一条竖直纳米线的半导体衬底上制造非对称竖直纳米线MOSFET的方法，其中，该至少一条竖直纳米线包括核心部分和外壳部分，该外壳部分沿着该竖直纳米线的高度包围该核心部分，该方法包括： 在该半导体衬底上和该竖直纳米线的底部分周围沉积保护层， 在该竖直纳米线的未被该保护层遮盖的剩余部分周围形成顶部接触件， 通过刻蚀去除该保护层， 在该半导体衬底上和该竖直纳米线的底部分的下部部分周围沉积间隔层，其中，该间隔层的厚度小于该保护层的厚度，并且其中，该竖直纳米线的底部分的未被该间隔层遮盖的剩余部分包括中间部分和上部部分， 去除该竖直纳米线的底部分的中间部分的外壳部分，从而在该竖直纳米线的底部分的中间部分处暴露该竖直纳米线的核心部分， 在去除该竖直纳米线的底部分的中间部分的外壳部分的步骤之前，掩模该竖直纳米线的底部分的上部部分， 修整该竖直纳米线的底部分的上部部分的外壳部分，从而减小该竖直纳米线的底部分的上部部分的外壳部分的厚度，或者去除该竖直纳米线的底部分的上部部分的外壳部分， 在该间隔层上并且仅在该竖直纳米线的底部分的中间部分周围沉积金属栅极，以及 形成下源极漏极部分和上源极漏极部分。

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