成都辰显光电有限公司姚志博获国家专利权
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龙图腾网获悉成都辰显光电有限公司申请的专利微发光二极管芯片及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171648B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010954485.3，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权微发光二极管芯片及其制备方法、显示面板是由姚志博;盛翠翠;董小彪;郭恩卿;夏继业;王程功设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本微发光二极管芯片及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微发光二极管芯片及其制备方法、显示面板，所述微发光二极管芯片包括外延片和第一电极，所述外延片包括层叠设置的第一覆层和第一电流扩展层，所述第一覆层位于所述第一电流扩展层远离所述第一电极的一侧；所述第一电流扩展层包括与所述第一覆层接触的接触面，沿所述微发光二极管芯片的厚度方向，所述接触面的投影位于所述第一覆层的投影内部；所述第一电极与所述第一电流扩展层接触设置。本发明实施例能够提高微发光二极管芯片的发光效率。
本发明授权微发光二极管芯片及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管芯片，其特征在于，所述微发光二极管芯片包括外延片和第一电极，所述外延片包括层叠设置的第一覆层和第一电流扩展层，所述第一覆层位于所述第一电流扩展层远离所述第一电极的一侧；所述第一电流扩展层包括与所述第一覆层接触的接触面，沿所述微发光二极管芯片的厚度方向，所述接触面的投影位于所述第一覆层的投影内部； 所述第一电极与所述第一电流扩展层接触设置； 所述第一电流扩展层包括多个块状结构，相邻两个所述块状结构之间存在间隙； 所述第一电极的形状与所述第一电流扩展层的形状匹配；所述第一电极覆盖所述第一电流扩展层的每个块状结构，并与所述第一电流扩展层的每个块状结构接触设置； 其中，微发光二极管芯片在转移过程中，驱动背板上的焊柱在微发光二极管芯片下压时用于填充所述间隙。
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