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龙图腾网获悉昭和电工材料株式会社申请的专利切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114641848B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080077215.7，技术领域涉及：H01L21/301；该发明授权切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法是由木村尚弘;森修一;田泽强设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种切割晶粒接合一体型膜。该切割晶粒接合一体型膜具备：基材层、具有与基材层相向的第1面及与其相反侧的第2面的压敏胶黏剂层及以覆盖第2面的中央部的方式设置的胶黏剂层。压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域，所述第1区域包括与胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域，所述第2区域以包围第1区域的方式设置，第1区域为呈与第2区域相比胶接力下降的状态的区域。在压敏胶黏剂层中，在规定条件下所测定的压敏胶黏剂层的第1区域对胶黏剂层的胶接力与压敏胶黏剂层的第2区域对胶黏剂层的胶接力之差为6.5～9.0N25mm。

本发明授权切割晶粒接合一体型膜及其制造方法和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种切割晶粒接合一体型膜，其具备： 基材层； 压敏胶黏剂层，具有与所述基材层相向的第1面及与所述第1面相反侧的第2面，且由活性能量射线固化型压敏胶黏剂组成；及 胶黏剂层，以覆盖所述第2面的中央部的方式设置， 所述活性能量射线固化型压敏胶黏剂包含具有可链聚合的官能团的甲基丙烯酸系树脂，所述官能团为选自丙烯酰基及甲基丙烯酰基中的至少一种，所述甲基丙烯酸系树脂中的所述官能团的含量为0.1～1.2mmolg， 所述压敏胶黏剂层具有第1区域和第2区域，所述第1区域至少包括与压敏胶黏剂层中的晶圆的贴附位置对应的区域，所述第2区域以包围所述第1区域的方式设置， 所述第1区域为因照射活性能量射线而呈与所述第2区域相比胶接力下降的状态的区域，所述活性能量射线的照射量为10～1000mJcm2， 在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm分钟的条件下所测定的、所述压敏胶黏剂层的所述第1区域对所述胶黏剂层的胶接力为f1N25mm，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm分钟的条件下所测定的、所述压敏胶黏剂层的所述第2区域对所述胶黏剂层的胶接力为f2N25mm时，f2与f1之差f2-f1为7.0～9.0N25mm， 所述切割晶粒接合一体型膜应用于包括将晶圆单片化为0.1～9mm2面积的多个芯片的工序的半导体装置的制造工艺。

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