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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利阵列基板、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930543B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080002492.1，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权阵列基板、显示装置是由陈义鹏;石领;李文强;谢帅;于洋设计研发完成，并于2020-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板、显示装置在说明书摘要公布了：涉及显示技术领域，提出一种阵列基板和显示装置，阵列基板包括像素驱动电路和数据线，像素驱动电路包括驱动晶体管DT、第一晶体管T1、以及第二晶体管T2，驱动晶体管DT和第一晶体管T1为P型晶体管，第二晶体管T2为N型晶体管。阵列基板还包括：衬底基板0、第一导电层，第一导电层设置于衬底基板0的一侧，第一导电层包括：第一导电部13、第一栅线11、第二栅线12，第一导电部13用于形成驱动晶体管DT的栅极；第一栅线11位于第一导电部13的一侧，部分第一栅线11用于形成第一晶体管T1的栅极；第二栅线12位于第一栅线11远离第一导电部13的一侧，部分第二栅线12用于形成第二晶体管T2的第一栅极。该阵列基板能够降低第二晶体管T2关断时对驱动晶体管DT栅极的下拉影响。

本发明授权阵列基板、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其中，所述阵列基板包括像素驱动电路和数据线，所述像素驱动电路包括驱动晶体管、连接于所述驱动晶体管的第一极和所述数据线之间的第一晶体管、以及连接于所述驱动晶体管的栅极和第二电极之间的第二晶体管，所述驱动晶体管和所述第一晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管为N型晶体管，所述阵列基板还包括： 衬底基板； 第一导电层，设置于所述衬底基板的一侧，所述第一导电层包括： 第一导电部，用于形成所述驱动晶体管的栅极； 第一栅线，位于所述第一导电部的一侧，部分所述第一栅线用于形成所述第一晶体管的栅极； 第二栅线，位于所述第一栅线远离所述第一导电部的一侧，部分所述第二栅线用于形成所述第二晶体管的第一栅极； 所述阵列基板还包括： 第二导电层，设置于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，所述第二导电层包括： 第二导电部，所述第二导电部在所述衬底基板的正投影与所述第一导电部在所述衬底基板的正投影至少部分重合，且通过过孔与所述第一导电部电连接； 第三导电部，用于形成所述第二晶体管的第一极，所述第一栅线在所述衬底基板的正投影位于所述第二导电部在所述衬底基板的正投影和第三导电部在所述衬底基板的正投影之间； 第一导电线，连接于所述第二导电部和所述第三导电部之间，所述第一导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一栅线在所述衬底基板的正投影相交。

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