微软技术许可有限责任公司R·卢奇获国家专利权
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龙图腾网获悉微软技术许可有限责任公司申请的专利具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114787925B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080086489.2，技术领域涉及：G11C11/44；该发明授权具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器是由R·卢奇;A·安提波夫设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器在说明书摘要公布了：描述了具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器单元。示例存储器单元包括第一超导电极、第二超导电极以及布置在两个超导电极之间的基于半导体的磁自旋阀。基于半导体的磁自旋阀包括半导体层和第一铁磁绝缘体，第一铁磁绝缘体被布置在半导体层附近，被布置在半导体层的第一侧上，被配置为提供在第一方向上定向的固定磁化。基于半导体的磁自旋阀还包括第二铁磁绝缘体，第二铁磁绝缘体被布置在半导体层的与第一侧相对的第二侧上，被配置为提供在第一方向、或者与第一方向相对的第二方向上定向的自由磁化，以便控制与从第一超导电极、通过半导体层到第二超导电极的电流的流动相关联的参数。
本发明授权具有基于半导体的磁自旋阀的约瑟夫森磁性存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器单元，包括： 第一超导电极； 第二超导电极；以及 基于半导体的磁自旋阀，被耦合至所述第一超导电极和所述第二超导电极，其中所述基于半导体的磁自旋阀包括： 半导体层，被布置在所述第一超导电极和所述第二超导电极之间， 第一铁磁绝缘体，被布置在所述半导体层附近，其中所述第一铁磁绝缘体被布置在所述半导体层的第一侧上，并且其中所述第一铁磁绝缘体被配置为：提供在第一方向上定向的固定磁化，以及 第二铁磁绝缘体，被布置在所述半导体层附近，其中所述第二铁磁绝缘体被布置在所述半导体层的与所述第一侧相对的第二侧上，并且其中所述第二铁磁绝缘体被配置为：提供在所述第一方向、或者与所述第一方向相对的第二方向上定向的自由磁化，以便控制与从所述第一超导电极、通过所述半导体层到所述第二超导电极的电流的流动相关联的参数; 其中当所述第一铁磁绝缘体和所述第二铁磁绝缘体的磁化处于相同方向时，在传输期间累积的相位被相加，并且当所述第一铁磁绝缘体和所述第二铁磁绝缘体的磁化处于相反方向时，所述相位被抵消。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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