北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司武咏琴获国家专利权
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龙图腾网获悉北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114446790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-26发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011220063.X,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权半导体结构的形成方法是由武咏琴;卜伟海设计研发完成,并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了:本申请提供半导体结构的形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底表面包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层;在所述牺牲层和沟道层顶面形成伪栅极层;刻蚀所述伪栅极层两侧的牺牲层和沟道层至暴露所述半导体衬底表面,同时使所述伪栅极层下方的牺牲层侧壁形成凹陷;在所述牺牲层和沟道层侧壁形成氧化层,位于所述牺牲层侧壁的所述氧化层保持所述凹陷的形状;在所述牺牲层侧壁的氧化层的凹陷内形成内侧墙。利用牺牲层和沟道层刻蚀速率和氧化速率的不同,在牺牲层侧壁形成凹陷,最后在所述凹陷中形成内侧墙,能够简化形成内侧墙的工艺,减少对硅通道表面的损伤,提高源极和漏极的质量,从而提高器件可靠性。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括: 提供半导体衬底,所述半导体衬底表面包括若干依次堆叠的牺牲层和沟道层; 在所述牺牲层和沟道层顶面形成伪栅极层; 刻蚀所述伪栅极层两侧的牺牲层和沟道层至暴露所述半导体衬底表面,并且同步使所述伪栅极层下方的牺牲层侧壁形成凹陷; 采用湿氧化法在所述牺牲层和沟道层侧壁形成氧化层,位于所述牺牲层侧壁的所述氧化层保持所述凹陷的形状,位于所述牺牲层侧壁的氧化层比位于所述沟道层侧壁的氧化层薄; 在所述牺牲层侧壁的氧化层的凹陷内形成内侧墙,包括:在所述氧化层侧壁形成内侧墙材料层;刻蚀去除位于所述沟道层侧壁的氧化层表面的侧墙材料层,暴露所述沟道层侧壁的氧化层,所述牺牲层两侧凹陷中的剩余材料即为所述内侧墙。
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